[发明专利]一种高强度氮化硅陶瓷的低温制备方法在审
| 申请号： | 201910318851.3 | 申请日： | 2019-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN110204343A | 公开（公告）日： | 2019-09-06 |
| 发明（设计）人： | 李俊国;罗杰;张睿成;陈杨;沈强;李美娟 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | C04B35/584 | 分类号： | C04B35/584;C04B35/622;C04B35/64 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 乔宇 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高强度氮化硅陶瓷的低温制备方法。其是以低熔点的Mg2Si作为烧结助剂，采用等离子活化烧结工艺，在氮气气氛中，1400～1500℃温度下烧结成氮化硅陶瓷。本方法所制备的氮化硅陶瓷致密度高于97％，抗弯强度644～1056MPa。本发明工艺简单，原料价格低廉，制备出的氮化硅陶瓷材料致密、抗弯强度高，在导热陶瓷基板以及冶金、化工领域中具有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化硅陶瓷 低温制备 抗弯 制备 氮化硅陶瓷材料 等离子活化烧结 致密 导热陶瓷基板 化工领域 烧结助剂 原料价格 烧结 低熔点 冶金 应用 | ||
【主权项】：
1.一种高强度氮化硅陶瓷的低温制备方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)将氮化硅粉体和Mg2Si粉体球磨分散混合均匀，得到混合粉体，其中：以质量分数计，称取氮化硅粉体92～98％，Mg2Si粉体2～8％；(2)在氮气气氛保护下，将混合粉体在等离子活化烧结炉中进行烧结，降温得到高强度的氮化硅陶瓷。
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