[发明专利]3D存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201910318434.9 | 申请日： | 2019-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN110137178B | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 徐前兵;杨号号;王恩博;卢峰;张若芳;张富山;刘沙沙 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11556 | 分类号： | H01L27/11556;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 岳丹丹 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 公开了一种3D存储器件及其制造方法，包括：在衬底上形成第一叠层结构；形成贯穿第一叠层结构的第一柱体；在第一叠层结构上形成第二叠层结构；形成贯穿第二叠层结构的第二柱体；去除第一柱体和第二柱体的一部分，形成沟道孔；以及在沟道孔内形成沟道柱，其中，第一柱体至少包括线性氧化层和多晶硅层，第二柱体至少包括线性氧化层；第一柱体和第二柱体的线性氧化层在第一叠层结构和第二叠层结构的边界处断开，且在断开处沟道柱连续延伸。本发明实施例在第一叠层结构内形成线性氧化层和多晶硅层，在第二叠层结构内形成线性氧化层，在刻蚀多晶硅层时两层叠层结构内的线性氧化层可以避免连接处叠层结构受损，从而提高3D存储器件的良率和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种3D存储器件的制造方法，包括：在衬底上形成第一叠层结构；形成贯穿第一叠层结构的第一柱体；在所述第一叠层结构上形成第二叠层结构；形成贯穿第二叠层结构的第二柱体；去除所述第一柱体和所述第二柱体的一部分，形成沟道孔；以及在所述沟道孔内形成沟道柱，其中，所述第一柱体至少包括线性氧化层，所述第二柱体至少包括线性氧化层；所述第一柱体的线性氧化层和第二柱体的线性氧化层在第一叠层结构和第二叠加结构的边界处断开；在线性氧化层断开的位置，所述沟道柱连续延伸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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