[发明专利]3D存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种3D存储器件的制造方法，包括：

在衬底上形成第一叠层结构；

形成贯穿第一叠层结构的第一柱体，所述第一柱体至少包括线性氧化层；

在所述第一叠层结构上形成第二叠层结构；

形成贯穿第二叠层结构的第二柱体，所述第二柱体至少包括线性氧化层；

去除所述第二柱体底部的线性氧化层以及第一柱体侧壁和第二柱体侧壁的部分线性氧化层，形成沟道孔以及所述第一柱体内剩余的线性氧化层和第二柱体内剩余的线性氧化层在第一叠层结构和第二叠层结构的边界处断开；以及

在所述沟道孔内形成沟道柱，

其中，

在线性氧化层断开的位置，所述沟道柱连续延伸。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，形成所述第一叠层结构和所述第一柱体的步骤包括：

在所述衬底上交替地沉积多个牺牲层和多个层间绝缘层形成第一叠层结构；

对所述第一叠层结构进行刻蚀，形成贯穿所述第一叠层结构的第一沟道孔，所述第一沟道孔延伸至所述衬底，并在所述衬底内部形成硅槽；

在所述硅槽内形成外延层，以及在所述第一沟道孔内形成覆盖所述外延层的线性氧化层和多晶硅层。

3.根据权利要求2所述的制造方法，其中，形成所述第二叠层结构和所述第二柱体的步骤包括：

在所述第一叠层结构上交替地沉积多个牺牲层和多个层间绝缘层形成第二叠层结构；

对所述第二叠层结构进行刻蚀，形成贯穿所述第一叠层结构的第二沟道孔，所述第二沟道孔与所述多晶硅层相接触；

在所述第二沟道孔内形成线性氧化层。

4.根据权利要求3所述的制造方法，其中，去除所述第一柱体和所述第二柱体的一部分，形成沟道孔的步骤包括：

去除第二柱体底部的线性氧化层以暴露出所述多晶硅层；

完全去除所述多晶硅层；以及

去除部分所述第一柱体内以及第二柱体侧壁的线性氧化层。

5.根据权利要求2所述的制造方法，其中，所述外延层由选自单晶硅、多晶硅中的至少一种组成。

6.根据权利要求1所述的制造方法，其中，形成沟道孔后，线性氧化层的厚度为1-2nm。

7.根据权利要求3所述的制造方法，其中，所述第一沟道孔和第二沟道孔在所述第一叠层结构和第二叠层结构的连接处的孔径不同，从而在所述第一叠层结构和第二叠层结构的连接处形成沟道窗口。

8.根据权利要求7所述的制造方法，其中，所述第一沟道孔在所述第一叠层结构和第二叠层结构的连接处的孔径大于第二沟道孔在所述第一叠层结构和第二叠层结构的连接处的孔径。

9.根据权利要求7所述的制造方法，其中，形成所述沟道柱的步骤包括：

沿所述第一沟道孔和第二沟道孔的内壁依次沉积形成连续的栅介质层、电荷存储层和隧穿介质层；

通过所述沟道窗口沿所述沟道柱的顶部向底部进行冲孔，形成贯穿所述沟道柱底部的通孔，以使所述外延层部分暴露；

沿所述第一沟道孔和第二沟道孔的内壁在所述隧穿介质层的表面进行沉积形成连续的沟道层；

其中，所述沟道层覆盖所述外延层的暴露表面，与所述外延层相接触。

10.根据权利要求2所述的制造方法，其中，多个所述沟道柱的底端经由所述外延层形成共源极连接。

11.根据权利要求1所述的制造方法，其中，还包括：

将第一叠层结构和所述第二叠层结构中的牺牲层替换成栅极导体，从而形成第三叠层结构和第四叠层结构。