[发明专利]一种下降漏电提升效率的多晶清洗工艺

摘要

本发明涉及晶体硅太阳能电池技术领域，公开了一种下降漏电提升效率的多晶清洗工艺。该方法包括以下步骤：上料；制绒；水洗；碱洗；水洗；有机物的清洗；水洗；酸洗；水洗；烘干；下料送入扩散炉管。本发明在现有的制绒完成之后，再对硅片进行相应配比浓度的化学品清洗，达到对硅片表面的有机物和其余杂质的再一次清洁，从而可以提升电池片的效率和电池片的Rsh，一般效率提升在0.01~0.02%左右，Rsh可以增加50以上，最终的成品电池中漏电不良品可以下降0.3~0.4%。

主权项

1.一种下降漏电提升效率的多晶清洗工艺，其特征在于包括以下步骤：（1）上料：将P型原始硅片导入制绒机；（2）制绒：用制绒混合液对P型原始硅片进行制绒；（3）水洗：将经步骤（2）制绒处理后的硅片表面的残酸进行喷淋清洗；（4）碱洗：将经步骤（3）水洗后的硅片用KOH溶液进行碱洗；（5）水洗：将经步骤（4）碱洗后的硅片表面的残碱进行喷淋清洗；（6）有机物的清洗：将经步骤（5）水洗后的硅片用清洗液进行清洗；（7）水洗：将经步骤（6）清洗后硅片表面的残留物进行喷淋清洗；（8）酸洗：将经步骤（7）清洗后的硅片用混合酸液进行酸洗；（9）水洗：将经步骤（8）酸洗后的硅片表面的残酸进行喷淋清洗；（10）烘干：将经步骤（9）水洗后的硅片用压缩空气烘干；（11）下料送入扩散炉管：将经步骤（10）烘干后的硅片在30min内送入扩散炉管进行扩散。