[发明专利]一种下降漏电提升效率的多晶清洗工艺

权利要求书

1.一种下降漏电提升效率的多晶清洗工艺，其特征在于包括以下步骤：

（1）上料：将P型原始硅片导入制绒机；

（2）制绒：用制绒混合液对P型原始硅片进行制绒；

（3）水洗：将经步骤（2）制绒处理后的硅片表面的残酸进行喷淋清洗；

（4）碱洗：将经步骤（3）水洗后的硅片用KOH溶液进行碱洗；

（5）水洗：将经步骤（4）碱洗后的硅片表面的残碱进行喷淋清洗；

（6）有机物的清洗：将经步骤（5）水洗后的硅片用清洗液进行清洗；

（7）水洗：将经步骤（6）清洗后硅片表面的残留物进行喷淋清洗；

（8）酸洗：将经步骤（7）清洗后的硅片用混合酸液进行酸洗；

（9）水洗：将经步骤（8）酸洗后的硅片表面的残酸进行喷淋清洗；

（10）烘干：将经步骤（9）水洗后的硅片用压缩空气烘干；

（11）下料送入扩散炉管：将经步骤（10）烘干后的硅片在30min内送入扩散炉管进行扩散。

2.如权利要求1所述的一种下降漏电提升效率的多晶清洗工艺，其特征在于：步骤（2）中，所述制绒混合液中硝酸的浓度为9~14wt%、氢氟酸的浓度为28~38wt%、制绒添加剂的浓度为0.3~2wt%。

3.如权利要求2所述的一种下降漏电提升效率的多晶清洗工艺，其特征在于：所述制绒为制绒时带速控制在1.6~2.3m/min，制绒温度控制在7~9℃。

4.如权利要求1或2所述的一种下降漏电提升效率的多晶清洗工艺，其特征在于：步骤（4）中，所述KOH溶液的浓度为1~7wt%；所述碱洗时间为10~60s。

5.如权利要求1或2所述的一种下降漏电提升效率的多晶清洗工艺，其特征在于：步骤（6）中，所述清洗液中双氧水浓度为4~7wt%，KOH浓度为1~7wt%；清洗时槽体温度为40~70℃，清洗时间20~70s。

6.如权利要求5所述的一种下降漏电提升效率的多晶清洗工艺，其特征在于：步骤（8）中，所述混合酸液中盐酸浓度为10~30wt%，氢氟酸浓度为8~25wt%；所述酸洗为在25~30℃清洗30~90s。

7.如权利要求1或6所述的一种下降漏电提升效率的多晶清洗工艺，其特征在于步骤（3）中，所述喷淋清洗温度为15~30℃，时间为4~8s；步骤（5）中，所述喷淋清洗温度为15~30℃，时间为4~8s；步骤（7）中，所述喷淋清洗温度为15~30℃，时间为4~8s；步骤（9）中，所述喷淋清洗温度为15~30℃，时间为4~8s。