[发明专利]制备隧穿氧钝化接触结构的快速退火方法

摘要

本发明提供一种制备隧穿氧钝化接触结构的快速退火方法，步骤包括：(1)预热：将待退火样品在工艺气体下，升温到150‑250℃，保温1‑2min；(2)释氢：然后升温到300‑600℃，保温3‑10min；(3)晶化：再升温到780‑1100℃，并保温1‑15min；(4)冷却：2‑5分钟降温至600℃以下。本发明通过温度控制，使样品有效避免了“爆膜”现象的发生又通过氢钝化提高硅衬底的体寿命，同时薄膜中的掺杂原子也得到充分激活，此外由于退火时间相对较短，掺杂原子向硅衬底扩散程度减弱，有效降低表面俄歇复合，提高隧穿氧钝化接触结构的表面钝化性能，同时具有较低的接触电阻率，另外退火时间缩短有利于提高生产效率，提升产能，节约生产成本。

主权项

1.制备隧穿氧钝化接触结构的快速退火方法，其特征在于，步骤包括：(1)预热：将待退火样品在工艺气体下，升温到150‑250℃，保温1‑2min；(2)释氢：然后升温到300‑600℃，保温3‑10min；(3)晶化：再升温到780‑1100℃，并保温1‑15min；(4)冷却：2‑5分钟降温至600℃以下。