[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201910305550.7 | 申请日： | 2019-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN110648993B | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 李劭宽;黄心岩;吴永旭;李承晋;陈海清;眭晓林 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了半导体器件及其形成方法。提供包括第一导电部件和围绕第一导电部件的第一层间电介质(ILD)的结构。在第一导电部件上但不在第一ILD上形成自组装层。在第一ILD上方但不在第一导电部件上方形成第一介电层。在第一导电部件上方和第一ILD上方形成第二ILD。在第二ILD中蚀刻开口。开口至少部分地与第一导电部件对准。第一介电层保护位于其下面的第一ILD的部分免受蚀刻。用导电材料填充开口，以在开口中形成第二导电部件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体器件的方法，包括：/n提供包括第一导电部件和围绕所述第一导电部件的第一层间电介质(ILD)的结构；/n在所述第一导电部件上选择性地形成自组装层；/n在所述第一层间电介质上方选择性地形成第一介电层；/n在所述第一导电部件上方和所述第一层间电介质上方形成第二层间电介质；/n在所述第二层间电介质中蚀刻开口，其中，所述开口至少部分地与所述第一导电部件对准，其中，所述第一介电层保护位于其下面的所述第一层间电介质的部分免受蚀刻；以及/n用导电材料填充所述开口，以在所述开口中形成第二导电部件。/n
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