[发明专利]纳米森林结构的制备方法及纳米森林结构的调控方法有效

专利信息
申请号: 201910304292.0 申请日: 2019-04-16
公开(公告)号: CN109987580B 公开(公告)日: 2020-02-11
发明(设计)人: 杨宇东;毛海央 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: B82B3/00 分类号: B82B3/00;B82Y40/00
代理公司: 11240 北京康信知识产权代理有限责任公司 代理人: 韩建伟
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供了一种纳米森林结构的制备方法及纳米森林结构的调控方法。该纳米森林结构的制备方法包括以下步骤:S1,采用包括偶联剂和聚合物的混合物在衬底上形成薄膜层;S2,对薄膜层进行等离子体轰击,形成纳米森林结构。采用等离子体对聚合物层进行轰击,能够使聚合物产生的部分产物再次聚合,以形成森林纳米结构,而本发明通过在聚合物的基础上增加偶联剂,在进行等离子体轰击过程中,薄膜层中的聚合物和偶联剂的基团被激活,偶联剂的有机基团和无机基团分别与聚合物的有机基团和无机基团相互连接,同时偶联剂的有机基团之间发生交联作用,从而被等离子体轰击产生的活性基团再次聚合,原混合物层消失,同样形成了纳米森林结构。
搜索关键词: 森林结构 偶联剂 聚合物 等离子体轰击 有机基团 薄膜层 制备 聚合 无机基团 等离子体 活性基团 交联作用 聚合物层 纳米结构 原混合物 混合物 调控 衬底 轰击 激活 森林
【主权项】:
1.一种纳米森林结构的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:/nS1,采用包括偶联剂和聚合物的混合物在衬底上形成薄膜层;/nS2,对所述薄膜层进行等离子体轰击,在进行所述等离子体轰击过程中,所述薄膜层中的聚合物和所述偶联剂的基团被激活,被等离子体轰击产生的活性基团再次聚合,形成所述纳米森林结构。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所,未经中国科学院微电子研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910304292.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top