[发明专利]纳米森林结构的制备方法及纳米森林结构的调控方法

权利要求书

1.一种纳米森林结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1，采用包括偶联剂和聚合物的混合物在衬底上形成薄膜层；

S2，对所述薄膜层进行等离子体轰击，在进行所述等离子体轰击过程中，所述薄膜层中的聚合物和所述偶联剂的基团被激活，被等离子体轰击产生的活性基团再次聚合，形成所述纳米森林结构。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述偶联剂为硅烷偶联剂。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述硅烷偶联剂包括乙烯基硅烷、氨基硅烷、环氧基硅烷、巯基硅烷和甲基丙烯酰氧基硅烷中的任一种或多种。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述聚合物包括聚酰亚胺、聚乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯和聚二甲基硅氧烷中的任一种或多种。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述混合物还包括金属纳米颗粒。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述金属纳米颗粒的粒径为1～50nm。

7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述金属纳米颗粒包括贵金属和/或铜。

8.根据权利要求1至3中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述混合物还包括光敏物质。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述光敏物质为紫外光刻胶或电子束光刻胶。

10.根据权利要求1至4中任一项所述的制备方法，其特征在于，在形成所述薄膜层的步骤之前，所述步骤S1还包括采用稀释液对所述混合物进行稀释的步骤。

11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述稀释液包括N-甲基吡咯烷酮、丁内酯和乳酸乙酯中的任一种或多种。

12.根据权利要求1至4中任一项所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤S2中，所述等离子体刻蚀包括氧等离子体轰击、氩等离子体轰击和氧等离子体轰击与氩等离子体轰击的交替轰击。

13.根据权利要求1至4中任一项所述的制备方法，其特征在于，在所述步骤S2之后，所述制备方法还包括以下步骤：

对所述纳米森林结构进行热处理、薄膜包覆处理或酸碱修饰处理，以对所述纳米森林结构进行改性。

14.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述纳米森林结构选自纳米纤维森林结构、纳米簇森林结构和纳米褶皱结构中的任一种。

15.一种纳米森林结构的调控方法，其特征在于，包括以下步骤：

采用权利要求1至14中任一项所述的纳米森林结构的制备方法，其中，对所述制备方法的步骤S1中混合物的各组分含量进行调整，以得到不同形貌的所述纳米森林结构；或采用权利要求13所述的纳米森林结构的制备方法，以得到不同特性的所述纳米森林结构。