[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201910302872.6 | 申请日： | 2019-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN111834332B | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 熊鹏;陆建刚 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静;李丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括：提供基底，所述基底包括电容区；在所述基底上形成介电层；刻蚀所述电容区部分厚度的所述介电层，在所述介电层内形成多个第一凹槽；在所述第一凹槽的底部和侧壁、以及所述电容区的介电层上形成第一电极层；形成保形覆盖所述第一电极层的电容介质层；形成保形覆盖所述电容介质层的第二电极层。本发明实施例有利于增加第二电极层和第一电极层之间的有效面积，从而在单位面积的基底上，MIM电容的电容值更大。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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