[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201910302872.6 | 申请日： | 2019-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN111834332B | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 熊鹏;陆建刚 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静;李丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底包括电容区，所述基底还包括划片有效区；
在所述基底上形成介电层；
刻蚀所述电容区部分厚度的所述介电层，在所述介电层内形成多个第一凹槽，刻蚀所述划片有效区的部分介电层，在所述划片有效区的介电层内形成第二凹槽；
在所述第一凹槽的底部和侧壁、所述第二凹槽的底部和侧壁以及所述电容区的介电层上形成第一电极层；
形成保形覆盖所述第一电极层的电容介质层；
形成保形覆盖所述电容介质层的第二电极层。
2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一凹槽的步骤中，所述第一凹槽呈矩阵排布。
3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一凹槽的步骤中，所述第一凹槽的深度和开口尺寸的比值大于1且小于5。
4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一凹槽的步骤中，所述第一凹槽的深度为至
5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一凹槽的步骤中，所述第一凹槽的开口尺寸为2μm至50μm。
6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一电极层的步骤中，所述第一电极层的厚度为至
7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述电容介质层的步骤中，所述电容介质层的厚度为至
8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第二电极层的步骤中，所述第二电极层的厚度为至
9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺刻蚀所述介电层，形成所述第一凹槽。
10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，
刻蚀所述划片有效区的部分介电层的步骤中，刻蚀所述电容区的部分厚度所述介电层，形成所述多个第一凹槽。
11.一种半导体结构，其特征在于，包括：
基底，所述基底包括电容区，所述基底还包括划片有效区；
介电层，位于所述基底上；
多个第一凹槽，位于所述电容区的介电层内；所述半导体结构还包括：第二凹槽，位于所述划片有效区的介电层内，所述第一凹槽和第二凹槽的底部相齐平；
第一电极层，位于所述第一凹槽底部和侧壁、所述第二凹槽底部和侧壁以及所述电容区的介电层上；
电容介质层，保形覆盖于所述第一电极层上；
第二电极层，保形覆盖于所述电容介质层上。
12.如权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，所述第一凹槽呈矩阵排布。
13.如权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，所述第一凹槽的深度和开口尺寸的比值大于1且小于5。
14.如权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，所述第一凹槽的深度为至
15.如权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，所述第一凹槽的开口尺寸为2μm至50μm。
16.如权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，所述第一电极层的厚度为至
17.如权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，所述电容介质层的厚度为至
18.如权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，所述第二电极层的厚度为至
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