[发明专利]抗单粒子烧毁LDMOS器件在审
| 申请号： | 201910298966.0 | 申请日： | 2019-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN110112217A | 公开（公告）日： | 2019-08-09 |
| 发明（设计）人： | 王颖;于成浩;曹菲;包梦恬 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人： | 朱月芬 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种抗单粒子烧毁LDMOS器件，该结构通过在器件的漂移区制作一个P‑埋层结构，其中P‑埋层的掺杂浓度和纵向结深可通过注入剂量和注入能量进行控制，P‑埋层的横向尺寸和分布形状可通过掩膜版图形进行控制。在相同耐压条件下，P‑埋层可进一步提高漂移区的掺杂浓度，从而实现比导通电阻的降低。同时由于P‑埋层对漂移区横向电场具有调制作用，可使重离子入射后电子‑空穴对的产生率大幅度降低，有效抑制了寄生晶体管的导通，能够在改善器件基本电学特性前提下提高单粒子烧毁阈值电。 | ||
| 搜索关键词： | 埋层 漂移区 烧毁 抗单粒子 掺杂 空穴 比导通电阻 寄生晶体管 掩膜版图形 电学特性 分布形状 横向电场 有效抑制 注入剂量 注入能量 产生率 单粒子 重离子 导通 结深 耐压 入射 调制 制作 | ||
【主权项】：
1.抗单粒子烧毁LDMOS器件，其特征在于：在传统SOI LDMOS结构基础上，还包括P‑埋层；所述P‑埋层设置在浅槽隔离氧化层下方；P‑埋层可紧邻浅槽隔离氧化层底部或与浅槽隔离氧化层保持一段距离；P‑埋层横向尺寸不大于浅槽隔离氧长度。
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