[发明专利]III族氮化物结晶的制造方法在审
| 申请号： | 201910296956.3 | 申请日： | 2019-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN110387581A | 公开（公告）日： | 2019-10-29 |
| 发明（设计）人： | 多田昌浩;小松真介;森勇介;今西正幸 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B19/02;C30B19/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 葛凡 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种得到抑制装置的腐蚀、并且抑制冷却中的由基底基板对III族氮化物单晶的应力的III族氮化物单晶的III族氮化物结晶的制造方法。一种III族氮化物结晶的制造方法，其包括：(i)准备将蓝宝石作为基底基板且在所述基底基板上设置有III族氮化物层的种基板的工序；(ii)在由钽构成的盛具中准备锂或锂化合物的工序；(iii)使用III族元素与碱金属的混合熔液，使III族氮化物结晶生长于设置于种基板的III族氮化物层的工序；和(iv)将锂或锂化合物投入混合熔液，使其与基底基板反应的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 基底基板 混合熔液 锂化合物 单晶 基板 碱金属 制造 蓝宝石 结晶生长 抑制装置 盛具 冷却 腐蚀 | ||
【主权项】：
1.一种III族氮化物结晶的制造方法，其包括：(i)准备将蓝宝石作为基底基板且在所述基底基板上设置有III族氮化物层的种基板的工序；(ii)在由钽构成的盛具中准备锂或锂化合物的工序；(iii)使用III族元素与碱金属的混合熔液，使III族氮化物结晶生长于设置于所述种基板的所述III族氮化物层的工序；和(iv)将所述锂或锂化合物投入所述混合熔液，使其与所述基底基板反应的工序。
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