[发明专利]III族氮化物结晶的制造方法在审
| 申请号： | 201910296956.3 | 申请日： | 2019-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN110387581A | 公开（公告）日： | 2019-10-29 |
| 发明（设计）人： | 多田昌浩;小松真介;森勇介;今西正幸 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B19/02;C30B19/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 葛凡 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基底基板 混合熔液 锂化合物 单晶 基板 碱金属 制造 蓝宝石 结晶生长 抑制装置 盛具 冷却 腐蚀 | ||
1.一种III族氮化物结晶的制造方法，其包括：
(i)准备将蓝宝石作为基底基板且在所述基底基板上设置有III族氮化物层的种基板的工序；
(ii)在由钽构成的盛具中准备锂或锂化合物的工序；
(iii)使用III族元素与碱金属的混合熔液，使III族氮化物结晶生长于设置于所述种基板的所述III族氮化物层的工序；和
(iv)将所述锂或锂化合物投入所述混合熔液，使其与所述基底基板反应的工序。
2.根据权利要求1所述的III族氮化物结晶的制造方法，其中，在所述(iii)工序中，
所述III族元素为镓，所述碱金属为选自钠、钾中的至少一种，所述III族氮化物结晶为GaN结晶。
3.根据权利要求1所述的III族氮化物结晶的制造方法，其中，在所述(ii)工序中，
所述锂或锂化合物的量以锂原子的质量换算为所述种基板的重量的4重量％以上且15重量％以下。
4.根据权利要求1所述的III族氮化物结晶的制造方法，其中，在所述(iii)工序中，
所述混合熔液还包含碱土金属。
5.根据权利要求1所述的III族氮化物结晶的制造方法，其还包含(v)使生长的所述III族氮化物结晶冷却的工序。
6.一种III族氮化物结晶的制造装置，其具备：
能够保持III族元素与碱金属的混合熔液的钽制坩埚容器、和
在所述坩埚容器内在所述混合熔液的液面更上方能够保持锂或锂化合物的钽制锂保持具。
7.根据权利要求6所述的III族氮化物结晶的制造装置，其还具备覆盖所述钽制坩埚容器的开口部的钽制坩埚盖。
8.根据权利要求6所述的III族氮化物结晶的制造装置，其中，所述钽制坩埚容器为源自块材的切削加工品或放电加工品。
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