[发明专利]三能级原子在多层拓扑绝缘体结构中的自发辐射计算方法有效
| 申请号： | 201910295167.8 | 申请日： | 2019-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN110008611B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 曾然;仲佼佼;张猛;陈芳芳;胡淼;李浩珍;毕美华;李齐良 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20 |
| 代理公司： | 浙江千克知识产权代理有限公司 33246 | 代理人： | 周希良 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提出一种三能级原子在多层拓扑绝缘体结构中的自发辐射计算方法，包括：第一步：建立多层拓扑绝缘体结构的模型；第二步：确定拓扑绝缘体的电磁特性；第三步：确定电磁波在分界面上的边界条件；第四步：利用边界条件求得多层拓扑绝缘体的传输矩阵；第五步：求得多层拓扑绝缘体结构的反射系数；第六步：求出三能级原子位于多层拓扑绝缘体结构中的自发辐射率表达式。本发明能够准确分析位于多层拓扑绝缘体结构附近及其构成的腔中的三能级原子自发辐射率和量子干涉强度，准确定位各种参数和多层拓扑绝缘体材料对自发辐射和量子干涉的影响和根本原因，进而用以调控原子自发辐射和量子干涉。 | ||
| 搜索关键词： | 能级 原子 多层 拓扑 绝缘体 结构 中的 自发辐射 计算方法 | ||
【主权项】：
1.三能级原子在多层拓扑绝缘体结构中的自发辐射计算方法，其特征在于：按如下步骤进行：第一步：建立多层拓扑绝缘体结构的模型；第二步：确定拓扑绝缘体的电磁特性；第三步：确定电磁波在分界面上的边界条件；第四步：利用边界条件求得多层拓扑绝缘体的传输矩阵；第五步：求出多层拓扑绝缘体结构的反射系数；第六步：求出三能级原子位于多层拓扑绝缘体结构及其构成的腔中的自发辐射表达式。
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