[发明专利]Ce3+掺杂SrMgF4多晶荧光材料的制备方法在审
| 申请号： | 201910294625.6 | 申请日： | 2019-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN110257056A | 公开（公告）日： | 2019-09-20 |
| 发明（设计）人： | 张东明;柳琪;邵刚勤;朱璨;王俊;晏佳礼;张勇 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | C09K11/61 | 分类号： | C09K11/61;C09D5/22 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 崔友明;闭钊 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及Ce3+掺杂SrMgF4多晶荧光材料的制备方法，该方法首先利用锶源、镁源、铈源配制金属阳离子混合溶液，利用氟源配制氟阴离子溶液；然后将金属阳离子混合溶液缓慢滴加到氟阴离子溶液中进行共沉淀反应；烘干、洗涤之后得到前驱体，最后煅烧得到不同掺杂量的SrMgF4:Ce3+多晶荧光材料。实验表明该荧光材料性能优异，适用于紫外光区域，其制备工艺简捷、安全高效、反应迅速。 | ||
| 搜索关键词： | 荧光材料 多晶 金属阳离子 氟阴离子 混合溶液 制备 配制 掺杂 共沉淀反应 紫外光区域 缓慢滴加 制备工艺 掺杂量 前驱体 烘干 氟源 镁源 煅烧 铈源 锶源 洗涤 安全 | ||
【主权项】：
1.Ce3+掺杂SrMgF4多晶荧光材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤：(a)将锶源、镁源、铈源溶于溶剂中，得到金属阳离子混合溶液；将氟源溶于溶剂中，得到氟阴离子溶液；(b)将金属阳离子混合溶液滴加到氟阴离子溶液中，反应完成后得到前驱体粉末；(c)将前驱体粉末煅烧即可。
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