[发明专利]Ce3+掺杂SrMgF4多晶荧光材料的制备方法在审
| 申请号： | 201910294625.6 | 申请日： | 2019-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN110257056A | 公开（公告）日： | 2019-09-20 |
| 发明（设计）人： | 张东明;柳琪;邵刚勤;朱璨;王俊;晏佳礼;张勇 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | C09K11/61 | 分类号： | C09K11/61;C09D5/22 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 崔友明;闭钊 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 荧光材料 多晶 金属阳离子 氟阴离子 混合溶液 制备 配制 掺杂 共沉淀反应 紫外光区域 缓慢滴加 制备工艺 掺杂量 前驱体 烘干 氟源 镁源 煅烧 铈源 锶源 洗涤 安全 | ||
1.Ce3+掺杂SrMgF4多晶荧光材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
(a)将锶源、镁源、铈源溶于溶剂中，得到金属阳离子混合溶液；将氟源溶于溶剂中，得到氟阴离子溶液；
(b)将金属阳离子混合溶液滴加到氟阴离子溶液中，反应完成后得到前驱体粉末；
(c)将前驱体粉末煅烧即可。
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述锶源、镁源、铈源具体为对应金属的碳酸盐、乙酸盐或者硝酸盐。
3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于：所述锶源选自碳酸锶、醋酸锶中的一种，所述镁源选自碳酸镁、乙酸镁或其水合物中的一种，所述铈源选自硝酸铈或其水合物、乙酸铈中的一种。
4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述氟源选自二氟化氢氨、氟化氨中的一种。
5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述溶剂具体为稀醋酸水溶液或去离子水。
6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：滴加进行反应时，锶源、镁源、铈源的用量参照产物化学计量比，氟源的用量在产物化学计量比的基础上过量10％以内。
7.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：反应完成后将混合物置于70-90℃环境中干燥45-72h，所得固体用去离子水反复洗涤多次，最后在70-90℃下干燥2-4h得到前驱体粉末。
8.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：煅烧时将前驱体粉末从室温加热至400℃，保温1h后逐渐冷却至室温，升温或降温速率控制在5-10℃/min，煅烧气氛为空气气氛。
9.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤(c)所得产物为低温单斜相，Ce3+掺杂量控制在8％以内。
10.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于该方法还包括步骤(d)：将步骤(c)制得的Ce3+掺杂SrMgF4荧光粉末涂敷在部件表面，所述部件材质包括金属、树脂、玻璃、布料、混凝土等。
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