[发明专利]一种低功耗全MOS管带隙基准电路以及基于其的转换器

摘要

本发明公开了一种低功耗全MOS管带隙基准电路以及基于其的转换器，涉及带隙基准电路领域；其包括镜像NMOS管、镜像PMOS管、第二NMOS管NM2、第五NMOS管NM5和为NM2、NM5提供偏置使其工作在线性区的MOS管组；镜像PMOS管、镜像NMOS管和第五NMOS管NM5连接，产生与电源无关的电流，电流通过镜像PMOS管流进第二NMOS管NM2转换为电压，第二NMOS管NM2与镜像NMOS管中第三NMOS管NM3连接，实现NM2产生的正温度系数电压与NM3具有负温度系数的栅源电压叠加，镜像PMOS管中的第三PMOS管PM3漏极连接第NMOS管NM2漏极，输出叠加后的零温度系数电压；本发明解决了现有采用BJT管的发射极‑基极电压的负温特性构建零温的带隙基准存在电路功耗大、电路复杂的问题，达到了实现电压零温的同时降低功耗和减小电路面积的效果。

主权项

1.一种低功耗全MOS管带隙基准电路，其特征在于：包括镜像NMOS管、压低支路电流使镜像NMOS管工作在亚阈值区的镜像PMOS管、将电流转换为电压的第二NMOS管NM2、将电压转换为电流的第五NMOS管NM5和为第二NMOS管NM2、第五NMOS管NM5提供偏置使其工作在线性区的MOS管组；镜像PMOS管、镜像NMOS管和第五NMOS管NM5连接，产生与电源无关的电流，电流通过镜像PMOS管流进第二NMOS管NM2转换为电压，第二NMOS管NM2与镜像NMOS管中第三NMOS管NM3连接，实现NM2产生的正温度系数电压与NM3具有负温度系数的栅源电压叠加，镜像PMOS管中的第三PMOS管PM3漏极连接第NMOS管NM2漏极，输出叠加后的零温度系数电压。