[发明专利]一种低功耗全MOS管带隙基准电路以及基于其的转换器

权利要求书

1.一种低功耗全MOS管带隙基准电路，其特征在于：包括镜像NMOS管、压低支路电流使镜像NMOS管工作在亚阈值区的镜像PMOS管、将电流转换为电压的第二NMOS管NM2、将电压转换为电流的第五NMOS管NM5和为第二NMOS管NM2、第五NMOS管NM5提供偏置使其工作在线性区的MOS管组；

镜像PMOS管、镜像NMOS管和第五NMOS管NM5连接，产生与电源无关的电流，电流通过镜像PMOS管流进第二NMOS管NM2转换为电压，第二NMOS管NM2与镜像NMOS管中第三NMOS管NM3连接，实现NM2产生的正温度系数电压与NM3具有负温度系数的栅源电压叠加，镜像PMOS管中的第三PMOS管PM3漏极连接第NMOS管NM2漏极，输出叠加后的零温度系数电压；

所述镜像PMOS管包括第三PMOS管PM3和第四PMOS管PM4，第三PMOS管PM3和第四PMOS管PM4采用倒比管，镜像NMOS管包括第三NMOS管NM3和第四NMOS管NM4，镜像PMOS管、镜像NMOS管与第二NMOS管NM2、第五NMOS管NM5的电路连接如下：

第三PMOS管PM3源极接VDD，其栅极与第四PMOS管PM4栅极相连，其漏极接第二NMOS管NM2的漏极，并输出基准电压V_ref；第二NMOS管NM2源极连接第三NMOS管NM3的栅极与漏极，第三NMOS管NM3的源极连接GND；第四PMOS管PM4源极接VDD，其栅极与漏极相连接构成二极管接法，并连接第四NMOS管NM4的漏极；第四NMOS管NM4的栅极接第三NMOS管NM3的栅极与漏极，第四NMOS管NM4源极连接第五NMOS管NM5漏极，第五NMOS管NM5源极连接GND。

2.根据权利要求1所述的一种低功耗全MOS管带隙基准电路，其特征在于：所述MOS管组包括为第二NMOS管NM2提供偏置的第一PMOS管PM1、第二PMOS管PM2和第一NMOS管NM1，其电路连接如下：

第一NMOS管NM1源极接GND，其栅极与漏极相连，构成二极管接法，并与第二PMOS管PM2的漏极相连接；第二PMOS管PM2源极与第一PMOS管PM1的漏极相连，并连接第二NMOS管NM2的栅极，第二PMOS管PM2栅极与第二NMOS管NM2的源极相连，并与第三NMOS管NM3漏极、第三NMOS管NM3栅极及第四NMOS管NM4栅极相连；第一PMOS管PM1源极与VDD相连，其栅极与第三PMOS管PM3栅极、第四PMOS管PM4栅极相连。

3.根据权利要求1所述的一种低功耗全MOS管带隙基准电路，其特征在于：所述MOS管组还包括为第五NMOS管NM5提供偏置的第五PMOS管PM5和第六NMOS管NM6，其电路连接如下：

第五NMOS管NM5栅极与第六NMOS管NM6的栅极和漏极相连接，第六NMOS管NM6的栅极与其漏极相连接，构成二极管接法，并与第五PMOS管PM5的漏极连接，第五PMOS管PM5的源极接VDD，其栅极与第四PMOS管PM4的漏极、栅极连接。