[发明专利]一种高性能薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池及其制备方法

摘要

本发明一种钙钛矿异质结太阳电池及其制备方法，涉及专门适用于将光能转换为电能的半导体器件，是一种具有电子阻挡结构层的钙钛矿异质结太阳电池，由透明导电薄膜、由致密二氧化钛构成的电子传输层、钙钛矿光吸收层、电子阻挡结构层、P型薄膜晶硅层和铝背电极构成，其中，在P型晶硅薄膜层与钙钛矿光吸收层之间加由P型氧化镍组成的电子阻挡结构层，钙钛矿光吸收层与电子阻挡结构层具备相匹配的能级。本发明克服了现有技术中的薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池可能存在的漏电流和内部短路的缺陷，以及串联电阻影响效率的问题，还可以起到保护电池提高稳定性的作用。在满足电池器件整体工艺要求的情况下还实现了进一步减少薄膜晶硅界面复合、薄膜晶硅体内复合、进一步实现薄膜晶硅空穴传输层与电极之间欧姆接触，于是提高电池的光电性能，并保持环保、低成本的特性。