[发明专利]多晶硅薄膜的制备方法和薄膜晶体管在审
| 申请号： | 201910276502.X | 申请日： | 2019-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN110085511A | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 张卜芳;李松杉 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/786 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本揭示提供一种多晶硅薄膜的制备方法和薄膜晶体管，制备方法包括在基板上沉积缓冲层及非晶硅层，并加热，使晶粒进行固相结晶；待固相结晶完成后，对所述基板进行处理，并制备一层保温膜层；最后进行准分子激光退火，使所述基板上的所述非晶硅层再次结晶。通过对晶粒进行两次不同的热处理，得到较优的多晶硅薄膜，并以此多晶硅薄膜来制备薄膜晶体管，提升产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 多晶硅薄膜 薄膜晶体管 基板 晶粒 非晶硅层 固相结晶 准分子激光退火 热处理 保温膜层 产品良率 缓冲层 沉积 加热 | ||
【主权项】：
1.一种多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S100：在基板上沉积缓冲层及非晶硅层，并加热所述基板，使所述非晶硅层的晶粒进行固相结晶；S101：固相结晶完成后，对所述基板进行处理，在所述非晶硅层上制备一层保温膜层；S102：将步骤S101中得到的所述基板进行准分子激光退火，使所述基板上的所述非晶硅层再次结晶，直至得到一层多晶硅薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
