[发明专利]多晶硅薄膜的制备方法和薄膜晶体管

权利要求书

1.一种多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S100：在基板上沉积缓冲层及非晶硅层，并加热所述基板，使所述非晶硅层的晶粒进行固相结晶；

S101：固相结晶完成后，对所述基板进行处理，在所述非晶硅层上制备一层保温膜层；

S102：将步骤S101中得到的所述基板进行准分子激光退火，使所述基板上的所述非晶硅层再次结晶，直至得到一层多晶硅薄膜。

2.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述缓冲层设置在所述基板上，所述非晶硅层设置在所述缓冲层上。

3.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述缓冲层的材料为SiN_x和SiO_x。

4.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S100中，所述固相结晶的条件包括：将所述基板置于600℃～650℃温度的高温炉中持续加热，加热时间为60分钟～300分钟。

5.根据权利要求4所述的多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述高温炉中持续通入保护气体，所述保护气体包括氮气和氧气，所述氮气的含量大于所述氧气的含量，且所述氧气的含量不大于0.5％。

6.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S101中还包括步骤：

S200：使用含氟溶剂对所述基板进行清洗，将所述基板表面的氧化物去除；

S201：将步骤S200中清洗后的所述基板通入臭氧，获得所述保温膜层。

7.根据权利要求6所述的多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述含氟溶剂中氟的浓度为1％，所述保温膜层为SiO_x，所述保温膜层的厚度在4.5纳米和5.5纳米之间。

8.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S100中，固相结晶完成后，得到所述非晶硅层的所述晶粒的尺寸在0.045微米和0.055微米之间。

9.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S102中，所述多晶硅薄膜的晶粒的尺寸在0.35微米和0.45微米之间。

10.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括多晶硅薄膜，所述多晶硅薄膜如权利要求1～9中任一项所述的多晶硅薄膜的制备方法制备。