[发明专利]一种去除氮化铝陶瓷电路板中活性金属焊接层的方法有效
| 申请号： | 201910270823.9 | 申请日： | 2019-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN110113881B | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 罗小阳;张德库;唐甲林;刘飞;杜山山 | 申请（专利权）人： | 昆山市柳鑫电子有限公司 |
| 主分类号： | H05K3/06 | 分类号： | H05K3/06 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 215311 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种去除氮化铝陶瓷电路板中活性金属焊接层的方法，其包括步骤：将氮化铝陶瓷电路板中预设非电路位置的铜层蚀刻掉，使氮化铝陶瓷电路板中的活性金属焊接层露出；对所述活性金属焊接层进行激光扫描处理；采用蚀刻液对经过激光扫描处理的活性金属焊接层进行蚀刻处理，去除所述氮化铝陶瓷电路板中预设非电路位置的活性金属焊接层。本发明使用激光配合蚀刻液对活性金属焊接层进行蚀刻，既有效地降低了生产成本，也大大提高了生产效率，更重要的是，所述氮化铝陶瓷电路板中的活性金属焊接层能够彻底被清除，有效避免了氮化铝陶瓷电路板在使用过程中发生短路的问题，使得氮化铝陶瓷电路板能够满足后期放电测试、线间绝缘电压测试的使用要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 去除 氮化 陶瓷 电路板 活性 金属 焊接 方法 | ||
【主权项】：
1.一种去除氮化铝陶瓷电路板中活性金属焊接层的方法，其特征在于，包括步骤：将氮化铝陶瓷电路板中预设非电路位置的铜层蚀刻掉，使氮化铝陶瓷电路板中的活性金属焊接层露出；对所述氮化铝陶瓷电路板中露出的活性金属焊接层进行激光扫描处理；采用预制的蚀刻液对经过激光扫描处理的活性金属焊接层进行蚀刻处理，去除所述氮化铝陶瓷电路板中预设非电路位置的活性金属焊接层。
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