[发明专利]一种去除氮化铝陶瓷电路板中活性金属焊接层的方法有效
| 申请号： | 201910270823.9 | 申请日： | 2019-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN110113881B | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 罗小阳;张德库;唐甲林;刘飞;杜山山 | 申请（专利权）人： | 昆山市柳鑫电子有限公司 |
| 主分类号： | H05K3/06 | 分类号： | H05K3/06 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 215311 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 去除 氮化 陶瓷 电路板 活性 金属 焊接 方法 | ||
1.一种去除氮化铝陶瓷电路板中活性金属焊接层的方法，其特征在于，包括步骤：
将氮化铝陶瓷电路板中预设非电路位置的铜层蚀刻掉，使氮化铝陶瓷电路板中的活性金属焊接层露出；
对所述氮化铝陶瓷电路板中露出的活性金属焊接层进行激光扫描处理；
采用预制的蚀刻液对经过激光扫描处理的活性金属焊接层进行蚀刻处理，去除所述氮化铝陶瓷电路板中预设非电路位置的活性金属焊接层。
2.根据权利要求1所述去除氮化铝陶瓷电路板中活性金属焊接层的方法，其特征在于，所述激光扫描处理选自飞秒激光扫描或皮秒激光扫描中的一种。
3.根据权利要求1所述去除氮化铝陶瓷电路板中活性金属焊接层的方法，其特征在于，所述激光扫描处理的行进速度为5-20m/min。
4.根据权利要求1所述去除氮化铝陶瓷电路板中活性金属焊接层的方法，其特征在于，所述蚀刻液按重量份计包括5-20份的过氧化氢，5-10份的硝酸，20-40份的盐酸以及20-60份的溶解剂。
5.根据权利要求4所述去除氮化铝陶瓷电路板中活性金属焊接层的方法，其特征在于，所述蚀刻液按重量份计包括10份的过氧化氢，8份的硝酸，30份的盐酸以及40份的溶解剂。
6.根据权利要求4或5所述去除氮化铝陶瓷电路板中活性金属焊接层的方法，其特征在于，所述溶解剂选自氢氟酸、氟化铵、乙酸钠、乙酸钾、乙酸铵和磷酸氢二铵中的一种或多种。
7.根据权利要求1所述去除氮化铝陶瓷电路板中活性金属焊接层的方法，其特征在于，在超声波条件下，采用预制的蚀刻液对经过激光扫描处理的活性金属焊接层进行蚀刻处理，去除所述氮化铝陶瓷电路板中预设非电路位置的活性金属焊接层。
8.根据权利要求1所述去除氮化铝陶瓷电路板中活性金属焊接层的方法，其特征在于，所述活性金属焊接层材料为掺杂有银和铜的氮化钛。
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