[发明专利]一种半导体结构及其制造方法

摘要

本发明提供了一种半导体结构，用以形成CMOS图像传感器。上述半导体结构至少包括光电二极管，光电二极管形成在衬底中，用以收集光电子，光电二极管沿衬底高度方向由上至下依次具有钉扎层、第一掺杂区和第二掺杂区；以及上述半导体结构还包括第三掺杂区，第三掺杂区位于衬底中对应第二掺杂区的横向延伸区域；其中，第一掺杂区的离子掺杂浓度大于第二掺杂区的离子掺杂浓度，第二掺杂区的离子掺杂浓度大于第三掺杂区的离子掺杂浓度，第三掺杂区与第二掺杂区扩散后接触。本发明还提供了制造上述半导体结构的制造方法，根据本发明提供的制造方法所制造的半导体结构，在衬底中额外增加了电子收集区，能够增强图像传感器处理近红外光的能力。

主权项

1.一种半导体结构，用以形成CMOS图像传感器，所述半导体结构至少包括光电二极管，所述光电二极管形成在衬底(100)中，用以收集光电子，其特征在于，所述光电二极管沿衬底高度方向由上至下依次具有钉扎层(210)、第一掺杂区(220)和第二掺杂区(230)；以及所述半导体结构还包括第三掺杂区(300)，所述第三掺杂区(300)位于所述衬底(100)中对应所述第二掺杂区(230)的横向延伸区域；其中，所述第一掺杂区(220)的离子掺杂浓度大于所述第二掺杂区(230)的离子掺杂浓度，所述第二掺杂区(230)的离子掺杂浓度大于所述第三掺杂区(300)的离子掺杂浓度，所述第三掺杂区(300)与所述第二掺杂区(230)扩散后接触。