[发明专利]一种半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，用以形成CMOS图像传感器，所述半导体结构至少包括光电二极管，所述光电二极管形成在衬底(100)中，用以收集光电子，其特征在于，所述光电二极管沿衬底高度方向由上至下依次具有钉扎层(210)、第一掺杂区(220)和第二掺杂区(230)；以及

所述半导体结构还包括第三掺杂区(300)和存储节点，所述第三掺杂区(300)位于所述衬底(100)中对应所述第二掺杂区(230)的横向延伸区域，所述存储节点形成在所述衬底(100)中，沿衬底高度方向由上至下依次具有钉扎层(410)和离子掺杂区(420)；其中，

所述第一掺杂区(220)的离子掺杂浓度大于所述第二掺杂区(230)的离子掺杂浓度，所述第二掺杂区(230)的离子掺杂浓度大于所述第三掺杂区(300)的离子掺杂浓度，所述第三掺杂区(300)与所述第二掺杂区(230)扩散后接触，所述第三掺杂区(300)形成在所述存储节点的下方，且所述第三掺杂区(300)与所述存储节点的离子掺杂区(420)彼此隔离。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一掺杂区(220)、第二掺杂区(230)和所述第三掺杂区(300)均为第一离子掺杂类型。

3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底(100)与所述钉扎层(210)均为第二离子掺杂类型，所述第二离子掺杂类型不同于所述第一离子掺杂类型，所述钉扎层(210)的离子掺杂浓度大于所述衬底(100)的离子掺杂浓度。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第三掺杂区(300)与所述存储节点的离子掺杂区(420)均为第一离子掺杂类型，所述存储节点的离子掺杂区(420)的离子掺杂浓度大于所述第三掺杂区(300)的离子掺杂浓度。

5.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括第四掺杂区(500)，所述第三掺杂区(300)与所述存储节点的离子掺杂区(420)通过所述第四掺杂区(500)隔离。

6.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底(100)与所述第四掺杂区(500)均为第二离子掺杂类型，所述第二离子掺杂类型不同于所述第一离子掺杂类型，所述第四掺杂区(500)的离子掺杂浓度大于所述衬底(100)的离子掺杂浓度。

7.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述第四掺杂区(500)还包括向所述光电二极管方向横向延伸的延伸部，以及

所述延伸部进一步沿衬底高度方向向上延伸。

8.一种半导体结构的制造方法，用以形成CMOS图像传感器，所述制造方法包括：

提供衬底(100)；

在所述衬底(100)中沿衬底高度方向由下至上依次形成第二掺杂区(230)、第一掺杂区(220)和钉扎层(210)，以形成所述CMOS图像传感器的光电二极管；

在所述衬底(100)中沿衬底高度方向由下至上依次形成离子掺杂区(420)和钉扎层(410)，以形成所述CMOS图像传感器的存储节点；以及

在所述衬底(100)中对应所述第二掺杂区(230)的横向延伸区域形成第三掺杂区(300)，其中

所述第一掺杂区(220)的离子掺杂浓度大于所述第二掺杂区(230)的离子掺杂浓度，所述第二掺杂区(230)的离子掺杂浓度大于所述第三掺杂区(300)的离子掺杂浓度，以使所形成的所述第三掺杂区(300)与所述第二掺杂区(230)扩散后接触，所述存储节点形成在所述第三掺杂区(300)的上方，且所述第三掺杂区(300)与所述存储节点的离子掺杂区(420)彼此隔离。

9.如权利要求8所述的制造方法，其特征在于，执行第一类型离子掺杂以形成所述第一掺杂区(220)、第二掺杂区(230)和所述第三掺杂区(300)。