[发明专利]一种太阳能电池芯片结构及制备方法在审
申请号: | 201910251401.7 | 申请日: | 2019-03-29 |
公开(公告)号: | CN111755551A | 公开(公告)日: | 2020-10-09 |
发明(设计)人: | 罗轶;李琳琳;宋士佳 | 申请(专利权)人: | 东泰高科装备科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/054 | 分类号: | H01L31/054;H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 王文君;陈征 |
地址: | 102209 北京市昌平*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及太阳能电池领域,具体涉及一种太阳能电池芯片结构及制备方法。其主要改进之处为,在所述背电极和所述电池层之间设有折射层,所述折射层包括折射层,在所述折射层远离光射入方向的一面设有凹陷,所述凹陷的内表面设有反射层I;在所述前电极与所述电池层的接触面上设有反射层II,光线可在所述反射层I与所述反射层II之间进行多次反射。本发明所述的太阳能电池可以与前电极结构形成来回反射的区间,起到很好的陷光作用,能有效反射入射光线,增加光在电池层的传输路径,进而提高了太阳能电池的整体效率。本发明的制备工艺简单,且不影响电池层的晶体生长质量,便于应用与推广。 | ||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 芯片 结构 制备 方法 | ||
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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