[发明专利]改善FDSOI PMOS结构且提高MOS器件性能的方法

摘要

本发明公开了一种改善FDSOI PMOS结构且提高MOS器件性能的方法，在栅极侧墙形成后、NMOS/PMOS外延生长之前，先在MOS区域的FDSOI衬底生长第一硅薄膜层，接着在NMOS区域生长第二硅薄膜层作为NMOS的源漏端，最后在PMOS区域生长锗硅薄膜层作为PMOS的源漏端。本发明在MOS区域生成的第一硅薄膜层可以对顶层硅在前期工艺中因湿法刻蚀等工艺产生的损耗进行有效弥补，避免了PMOS区域的顶层硅过度损耗或者浅沟槽隔离与最小有源区交界处的顶层硅缺失影响锗硅外延生长的缺陷，同时第一硅薄膜层有效增加了源漏端横纵向的尺寸，进而可以降低源漏端电阻，并且提高了源漏端到栅极的overlap电容，有利于提高器件的导通电流，从而提高器件的性能。