[发明专利]发光器件封装结构、量子点LED光源以及电子器件有效

专利信息
申请号: 201910246125.5 申请日: 2019-03-28
公开(公告)号: CN110085730B 公开(公告)日: 2020-12-01
发明(设计)人: 罗飞;康永印;赵飞 申请(专利权)人: 纳晶科技股份有限公司
主分类号: H01L33/58 分类号: H01L33/58
代理公司: 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 代理人: 胡拥军;糜婧
地址: 310052 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了发光器件封装结构、量子点LED光源以及电子器件。其中,发光器件封装结构,包括:提供芯片安装区域的封装体;安装在芯片安装区域的LED芯片;包围LED芯片的第一封装部;设于第一封装部主出光方向的变折射率扩散层,变折射率扩散层在与其主进光方向垂直的方向上的折射率由中心向边缘逐渐增大;设于变折射率扩散层主出光方向的量子点层;以及包围量子点层的第二封装部。本发明通过在量子点层的进光侧设置一变折射率扩散层,解决了量子点层的中心光能量过于集中的问题,使得到达量子点层的光能量分布均匀,解决了量子点层中心淬灭现象,提高了量子点层对光照的有效利用率以及量子点层的耐光照能力。
搜索关键词: 发光 器件 封装 结构 量子 led 光源 以及 电子器件
【主权项】:
1.一种发光器件封装结构,包括提供芯片安装区域的封装体以及安装在所述芯片安装区域的LED芯片,其特征在于,还包括:包围所述LED芯片的第一封装部;设于所述第一封装部主出光方向的变折射率扩散层,所述变折射率扩散层在与其主进光方向垂直的方向上的折射率由中心向边缘逐渐增大;设于所述变折射率扩散层主出光方向的量子点层;以及包围所述量子点层的第二封装部。
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