[发明专利]发光器件封装结构、量子点LED光源以及电子器件

说明书

本发明公开了发光器件封装结构、量子点LED光源以及电子器件。其中，发光器件封装结构，包括：提供芯片安装区域的封装体；安装在芯片安装区域的LED芯片；包围LED芯片的第一封装部；设于第一封装部主出光方向的变折射率扩散层，变折射率扩散层在与其主进光方向垂直的方向上的折射率由中心向边缘逐渐增大；设于变折射率扩散层主出光方向的量子点层；以及包围量子点层的第二封装部。本发明通过在量子点层的进光侧设置一变折射率扩散层，解决了量子点层的中心光能量过于集中的问题，使得到达量子点层的光能量分布均匀，解决了量子点层中心淬灭现象，提高了量子点层对光照的有效利用率以及量子点层的耐光照能力。

技术领域

本发明涉及发光器件技术领域，尤其涉及发光器件封装结构、量子点LED光源以及电子器件。

背景技术

量子点具有发光波长尺寸可调谐、发光峰窄、发光效率高和热稳定性好等特点，其作为一种新型发光材料受到了越来越多的关注，量子点这些优秀的光学特性借助于成熟的LED技术，在照明和显示领域具有很广阔的应用前景。量子点封装技术主要是将量子点层原位封装到LED光源上方，取代或混入荧光材料，使封装后的LED具有量子点的光学特性。

发光波长连续可调、量子效率高的量子点LED光源，给照明领域带来高显色指数的各色光源，而半峰宽窄、色纯度好的量子点白光LED又给显示领域的背光光源提供了更好的选择，不断推进高色域、高色彩还原率的显示设备的迭代发展，产品进步的同时也推动着量子点LED封装技术的发展。

量子点的稳定性会受到水氧、高温和强光照的影响，因此在量子点LED光源中，需要使用阻隔水氧的封装胶封装量子点，还需要使量子点远离LED芯片设置来减少高温对量子点的影响。但是，随着照明与显示领域中对光通量、光效和光亮度的需求不断提高，在器件尺寸不变的情况下，量子点要面对LED芯片的光照不断增加带来的稳定性下降的问题。

LED芯片近似朗伯光源，光源光强分布情况为中心区域光强大，两边区域光强小。而量子点层光照承受能力均匀一致，量子点层的中心区域随着LED芯片光照增加首先达到承受光照极限而后开始出现淬灭(量子点层黑化)现象，而此时的量子点层边缘区域还未达到极限光照，这种结构限制了量子点LED光源整体的耐光照能力，对提升量子点LED光源的光通量、解决量子点淬灭现象造成了困难。

发明内容

为了克服现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种发光器件封装结构，能够有效提高量子点层的耐光照能力。

本发明的另一个目的在于提供一种量子点LED光源，与现有技术相比可以承受更高的光通量。

根据本发明的一个方面，提供一种发光器件封装结构，包括提供芯片安装区域的封装体以及安装在所述芯片安装区域的LED芯片，还包括：

包围所述LED芯片的第一封装部；

设于所述第一封装部主出光方向的变折射率扩散层，所述变折射率扩散层在与其主进光方向垂直的方向上的折射率由中心向边缘逐渐增大；

设于所述变折射率扩散层主出光方向的量子点层；以及

包围所述量子点层的第二封装部。

进一步地，所述封装体包括反光杯，所述LED芯片位于所述反光杯底部，所述第一封装部充满所述反光杯，所述变折射率扩散层与所述LED芯片相对地设于所述反光杯的上杯口外。

进一步地，所述反光杯内侧壁的表面为漫反射面，从而入射到所述反光杯内侧壁的光线发生漫反射。

进一步地，所述变折射率扩散层的外径不小于所述反光杯上杯口的外径，所述变折射率扩散层覆盖所述反光杯的上杯口，所述变折射率扩散层与所述第一封装部之间不中空。

进一步地，所述量子点层与所述变折射率扩散层之间不中空，优选地，所述量子点层设于所述变折射率扩散层的表面，所述第二封装部还包围所述变折射率扩散层。