[发明专利]一种适用于选择发射极太阳能电池扩散工艺

摘要

本发明公开一种适用于选择发射极太阳能电池扩散工艺，包括步骤：(1)、将制绒的硅片装入密舟中，炉管采用低压扩散方式并将密舟推入内部温度为850～880℃的扩散炉石英管中，并通入氧气，保持15～25min；(2)、降温至760～820℃，并保持通入大氮，同时通入O2，POCl3保持5～10min；(3)、降温至750～800℃，并保持通入大氮，同时通入携带PoCl3N2的小氮，以及O2，保持5～10min；(4)、降温至650～700℃利用金属离子在低温下在硅体内和磷扩散层中的分凝系数之间的差异实现分凝吸杂。本发明低压水平扩散能够增加扩散产能、降低工艺气体成本、提高扩散方阻的均匀性和重复性。

主权项

1.一种适用于选择发射极太阳能电池扩散工艺，其特征在于，包括以下步骤：(1)、将制绒的硅片装入密舟中，炉管采用低压扩散方式并将密舟推入内部温度为850～880℃的扩散炉石英管中，并通入氧气，保持15～25min；(2)、降温至760～820℃，并保持通入大氮，同时通入O₂，POCl₃保持5～10min；(3)、降温至750～800℃，并保持通入大氮，同时通入携带PoCl₃N₂的小氮，以及O₂，保持5～10min；(4)、降温至650～700℃利用金属离子在低温下在硅体内和磷扩散层中的分凝系数之间的差异实现分凝吸杂。