[发明专利]一种适用于选择发射极太阳能电池扩散工艺

说明书

本发明公开一种适用于选择发射极太阳能电池扩散工艺，包括步骤：(1)、将制绒的硅片装入密舟中，炉管采用低压扩散方式并将密舟推入内部温度为850～880℃的扩散炉石英管中，并通入氧气，保持15～25min；(2)、降温至760～820℃，并保持通入大氮，同时通入O₂，POCl₃保持5～10min；(3)、降温至750～800℃，并保持通入大氮，同时通入携带PoCl₃N₂的小氮，以及O₂，保持5～10min；(4)、降温至650～700℃利用金属离子在低温下在硅体内和磷扩散层中的分凝系数之间的差异实现分凝吸杂。本发明低压水平扩散能够增加扩散产能、降低工艺气体成本、提高扩散方阻的均匀性和重复性。

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术领域，特别涉及一种适用于选择发射极太阳能电池扩散工艺。

背景技术

目前P型单多晶PERC电池片技术已成为市场上的主流，而选择性发射极技术(selective emitter，SE)因其提高转化效率、与电池片产线兼容强的优势，给PERC电池片发展有了更多上升的空间。目前各大厂家基本采用激光掺杂制备选择性发射极太阳电池，既降低了硅片和电极之间的接触电阻提高填充因子，又降低了表面的复合，提高了少子寿命，能实现电池片量产效率稳定提升0.3％～0.4％。

目前虽然对激光掺杂选择性发射极太阳电池的理论研究和实验的报道很多，但是在实际的大规模生产中，仍然存在着扩散高方阻的均匀性、轻重掺杂区方块电阻匹配等问题。

发明内容

针对现有技术存在的问题，本发明提供一种适用于选择发射极太阳能电池扩散工艺。

为了实现上述目的，本发明技术方案如下：

一种适用于选择发射极太阳能电池扩散工艺，包括以下步骤：

(1)、将制绒的硅片装入密舟中，炉管采用低压扩散方式并将密舟推入内部温度为850～880℃的扩散炉石英管中，并通入氧气，保持15～25min；

(2)、降温至760～820℃，并保持通入大氮，同时通入O₂，POCl₃保持5～10min；

(3)、降温至750～800℃，并保持通入大氮，同时通入携带PoCl₃N₂的小氮，以及O₂，保持5～10min；

(4)、降温至650～700℃利用金属离子在低温下在硅体内和磷扩散层中的分凝系数之间的差异实现分凝吸杂。

较佳地，所述步骤(1)中低压扩散方式中的压力为50～100mbar。

较佳地，每个密舟中所放的硅片为1600～2000片。

较佳地，每个密舟中所放的硅片为1800片。

采用本发明的技术方案，具有以下有益效果：本发明通过组合衔接和优化多种扩散步骤，并给出了目前行业内单/多晶硅选择发射极电池扩散温度时间和气体流量等参数的最优化窗口值。本发明适用产品多，经验证在黑硅、单晶(普通PERC)以及多晶以及N型PERT和TopCon电池上均有效率提升。另外本发明采用低压水平扩散能够增加扩散产能、降低工艺气体成本、提高扩散方阻的均匀性和重复性。

附图说明

图1为本发明工艺流程图。

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例，对本发明进一步说明。

参照图1，本发明提供一种适用于选择发射极太阳能电池扩散工艺，包括以下步骤：