[发明专利]批次式湿法蚀刻清洗装置及批次式湿法蚀刻清洗方法在审
申请号: | 201910241184.3 | 申请日: | 2019-03-28 |
公开(公告)号: | CN110544649A | 公开(公告)日: | 2019-12-06 |
发明(设计)人: | 蔡汉平 | 申请(专利权)人: | 政汉电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 31218 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) | 代理人: | 翟羽<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
地址: | 中国台湾新竹市北区*** | 国省代码: | 中国台湾;TW |
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摘要: | 本发明公开一种批次式湿法蚀刻清洗装置,其包括一清洗槽、两上给水槽、一外管线以及一排水帮浦。在所述清洗槽内形成一主槽腔室。在所述主槽腔室内设置有一层流板以将所述主槽腔室区分为一上腔室以及一下腔室。在所述清洗槽上贯穿设置有至少一与所述下腔室相连通的下溢流管。所述两上给水槽设置在所述清洗槽外侧。各所述上给水槽内形成一与所述主槽腔室相连通的给水腔室。在各所述上给水槽上贯穿设置有一上给水管。所述外管线贯穿设置在所述清洗槽上且与所述下腔室相连通。所述排水帮浦设置在所述外管线上。所述清洗装置可节省所使用的去离子水,进而降低清洗晶圆的成本。 | ||
搜索关键词: | 清洗槽 给水槽 腔室 主槽 清洗装置 下腔室 帮浦 贯穿 排水 给水腔室 去离子水 湿法蚀刻 层流板 给水管 上腔室 晶圆 流管 下溢 清洗 室内 | ||
【主权项】:
1.一种批次式湿法蚀刻清洗装置,其特征在于,所述批次式湿法蚀刻清洗装置包括:/n一清洗槽,在所述清洗槽内形成一主槽腔室,在所述主槽腔室内设置有一层流板以将所述主槽腔室区分为一用以收纳晶圆的上腔室以及一下腔室,在所述层流板上贯穿形成有多个穿孔以使所述上腔室及所述下腔室相连通,在所述清洗槽上贯穿设置有至少一下溢流管,所述下溢流管与所述下腔室相连通;/n两上给水槽,设置在所述清洗槽外侧,各所述上给水槽内形成一与所述主槽腔室相连通的给水腔室,在各所述上给水槽上贯穿设置有一上给水管,所述上给水管与所述给水腔室相连通;/n一外管线,贯穿设置在所述清洗槽上且与所述下腔室相连通;以及/n一排水帮浦,设置在所述外管线上,可对所述清洗槽的所述下腔室进行排水;/n其中,所述批次式湿法蚀刻清洗装置包括二种清洗模式:一向下清洗模式及一向上溢流清洗模式;在所述向下清洗模式时,透过所述上给管对所述上给水槽的所述给水腔室注入去离子水,并使去所述离子水流入所述清洗槽的所述主槽腔室中,同时开启所述排水帮浦,以对所述主槽腔室之所述上腔室中的所述晶圆进行清洗并同时将使用过的所述去离子水自所述下腔室排除;在所述向上溢流清洗模式时,停止所述上给水管的注水且关闭所述排水帮浦,并且以所述下溢流管对所述清洗槽的所述下腔室注入去所述离子水,并使去所述离子水浸泡所述晶圆,当所述主槽腔室注满去所述离子水后,去所述离子水进一步溢流进入所述上给水槽的所述给水腔室中,最后去所述离子水透过所述上给水管排放到所述批次式湿法蚀刻清洗装置之外。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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