[发明专利]批次式湿法蚀刻清洗装置及批次式湿法蚀刻清洗方法

说明书

本发明公开一种批次式湿法蚀刻清洗装置，其包括一清洗槽、两上给水槽、一外管线以及一排水帮浦。在所述清洗槽内形成一主槽腔室。在所述主槽腔室内设置有一层流板以将所述主槽腔室区分为一上腔室以及一下腔室。在所述清洗槽上贯穿设置有至少一与所述下腔室相连通的下溢流管。所述两上给水槽设置在所述清洗槽外侧。各所述上给水槽内形成一与所述主槽腔室相连通的给水腔室。在各所述上给水槽上贯穿设置有一上给水管。所述外管线贯穿设置在所述清洗槽上且与所述下腔室相连通。所述排水帮浦设置在所述外管线上。所述清洗装置可节省所使用的去离子水，进而降低清洗晶圆的成本。

技术领域

本发明关于一种清洗机，尤指一种批次式湿法蚀刻清洗装置及批次式湿法蚀刻清洗方法。所述批次式湿法蚀刻清洗装置具有向下层流流场以及向上溢流层流流场，在清洗程序前期先以向下层流流场快速的将残酸均匀的流动，用以清洗晶圆上一向难以清洗的结构死角，且清洗程序后期以向上均匀溢流的向上溢流层流流场，将水面附着的颗粒污染藉由溢流方式排出，确保洗净后的晶圆的洁净度。上述批次式湿法蚀刻清洗装置及批次式湿法蚀刻清洗方法可避免重复实施清洗流程而耗费过大量去离子水以及花费过多清洗时间。

背景技术

在半导体产业中，对于晶圆的来料清洗，蚀刻后的清洗，去光阻后的清洗，深孔电镀前的清洗，为已知且常用的技术，且均采用去离子水来进行清洗。

就传统的批次式湿法蚀刻清洗流程而言，其采用快排清洗(Quick dump rinse,QDR)技术，主要使用大量去离子水快速填满一清洗槽后，再快速排放以达到清洗晶圆及残酸。虽然上述采用去离子水的清洗程序为最普遍的作法，且可以将残酸及污染颗粒有效的清洗干净，惟其耗费大量的去离子水，且清洗作业时间极长。上述在晶圆制程清洗程序中，主要包括下列步骤：以去离子水大量快速填满清洗槽、将清洗槽内的去离子水快速排放至净空；上述两步骤为一循环，而在所述清洗制程中至少需要5次循环，尤其，针对残酸的后期反应，必须以大量的去离子水快速填满并接着完全排放，才能达成将晶圆清洗洁净并且去除残酸之目的。因此，上述批次式湿法蚀刻清洗流程耗费大量的去离子水并且耗费大量的时间，导致所述清洗程序的成本高昂且清洗效率低落。

发明内容

本发明人有鉴于现有的批次式湿法蚀刻清洗流程耗费大量去离子水以及清洗时间的缺点，改良其不足与缺失，进而创作出一种批次式湿法蚀刻清洗装置及批次式湿法蚀刻清洗方法。

本发明主要目的在于提供一种批次式湿法蚀刻清洗装置，所述批次式湿法蚀刻清洗装置具有向下层流流场以及向上溢流层流流场，在清洗程序前期先以向下层流流场快速的将残酸均匀的流动，用以清洗晶圆上一向难以清洗的结构死角，且清洗程序后期以向上均匀溢流的向上溢流层流流场，将水面附着的颗粒污染藉由溢流方式排出，确保洗净后的晶圆的洁净度。上述批次式湿法蚀刻清洗装置及批次式湿法蚀刻清洗方法可避免重复实施清洗流程而耗费过大量去离子水以及花费过多清洗时间。

为达上述目的，本发明批次式湿法蚀刻清洗装置包括：

一清洗槽，在所述清洗槽内形成一主槽腔室，在所述主槽腔室内设置有一层流板以将所述主槽腔室区分为一用以收纳晶圆的上腔室以及一下腔室，在所述层流板上贯穿形成有多个穿孔以使所述上腔室及所述下腔室相连通，在所述清洗槽上贯穿设置有至少一下溢流管，所述下溢流管与所述下腔室相连通；

两上给水槽，设置在所述清洗槽外侧，各所述上给水槽内形成一与所述主槽腔室相连通的给水腔室，在各所述上给水槽上贯穿设置有一上给水管，所述上给水管与所述给水腔室相连通；

一外管线，贯穿设置在所述清洗槽上且与所述下腔室相连通；以及

一排水帮浦，设置在所述外管线上，可对所述清洗槽的所述下腔室进行排水；