[发明专利]一种场效应晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201910236341.1 | 申请日： | 2019-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN111755331A | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健 | 申请（专利权）人： | 芯恩（青岛）集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L21/336;H01L29/775;H01L29/78;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 陈敏 |
| 地址： | 266555 山东省青岛市黄岛区*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种场效应晶体管及其制备方法，该方法包括提供半导体衬底，在半导体衬底上形成凸起的条状结构，凸起的条状结构包括作为沟道区域的第一部分以及自所述第一部分的两端向两侧延伸的第二部分和第三部分；在形成凸起的条状结构的半导体衬底上保形沉积无定型材料形成熔覆层；对熔覆层进行结晶退火以形成包覆第二部分和第三部分的有源区涂层。本发明通过保形沉积在凸起的条状结构上形成无定型材料层，然后通过结晶退火使得无定型材料层结晶形成包覆凸起的条状结构的有源层。本发明的场效应晶体管，载流子迁移率大大提高。凸起的条状结构以及环绕式栅极增加了栅极对沟道的控制面积，提高了整个器件的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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