[发明专利]一种场效应晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种场效应晶体管制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成凸起的条状结构，所述凸起的条状结构包括作为沟道区域的第一部分以及自所述第一部分的两端向两侧延伸的第二部分和第三部分；

在形成所述半导体衬底的表面以及所述凸起的条状结构的所述第二部分和第三部分上保形沉积无定型材料形成熔覆层；

对所述熔覆层进行结晶退火以形成包覆所述第二部分和所述第三部分的保形有源区涂层。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述凸起的条状结构包括鳍或者纳米线。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，还包括以下步骤：

在沉积所述无定型材料之前，在所述条状凸起结构作为所述沟道区域的所述第一部分的外侧形成栅极氧化物；

沉积所述无定型材料之后，在所述栅极氧化层的外侧形成栅电极，从而形成栅极结构；

所述栅极结构围绕所述沟道区域形成环绕式栅极结构。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述结晶退火包括微波退火。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述结晶退火的退火温度介于450℃～750℃，退火时间大于等于1小时。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，通过热沉积方法沉积所述无定型材料，所述无定型材料的厚度介于2～4nm。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述无定型材料包括Si、SiGe、Ge、GaAs或其中的两种或多种的组合。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，还包括：去除所述结晶过程中所述无定型材料在所述半导体衬底表面上形成的多晶颗粒。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，采用稀释的氢氟酸湿式腐蚀法去除所述半导体衬底表面上形成的多晶颗粒。

10.一种场效应晶体管，其特征在于，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底上形成有凸起的条状结构，所述凸起的条状结构包括作为沟道区域的第一部分以及自所述沟道区域的两端向两侧延伸的第二部分和第三部分；

栅极结构，形成在所述第一部分的外侧；

有源区，位于所述第二部分和所述第三部分的外侧，并且保形包覆所述第二部分和所述第三部分；

其中，所述有源区包括由保形沉积的无定型材料经结晶形成的有源区涂层。

11.根据权利要求10所述场效应晶体管，其特征在于，所述凸起的条状结构包括形成在所述半导体衬底上的鳍或者纳米线。

12.根据权利要求10所述的场效应晶体管，其特征在于，所述栅极结构围绕所述沟道区域形成环绕式栅极结构。

13.根据权利要求10所述的场效应晶体管，其特征在于，所述无定型材料包括Si、SiGe、Ge、GaAs或者其中的两种或多种的组合。