[发明专利]光探测器件及光探测器在审
| 申请号： | 201910236278.1 | 申请日： | 2019-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN109860397A | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 梁永晔;杨庭斌;邢贇;白俊娴;王江 | 申请（专利权）人： | 南方科技大学 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/46 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 赵天月 |
| 地址： | 518055 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种光探测器件及光探测器。该光探测器件包含铟锡氧化物阳极层、光活性层、界面层以及金属阴极层；其中所述光活性层位于所述铟锡氧化物阳极层的上层，所述光活性层由包含电子给体材料和电子受体材料的混合物形成；所述界面层位于所述光活性层的上层，所述金属阴极层位于所述界面层的上层。本发明还提供了一种包含该光探测器件的光探测器。本发明提供的光探测器器件以及光探测器，能够提高高分子光探测器的探测率。 | ||
| 搜索关键词： | 光探测器 光探测器件 光活性层 界面层 铟锡氧化物阳极层 金属阴极层 上层 电子给体材料 电子受体材料 混合物形成 探测率 | ||
【主权项】：
1.一种光探测器件，其特征在于，包括：铟锡氧化物阳极层、光活性层、界面层以及金属阴极层；其中所述光活性层位于所述铟锡氧化物阳极层的上层，所述光活性层由包含电子给体材料和电子受体材料的混合物形成；所述界面层位于所述光活性层的上层，所述金属阴极层位于所述界面层的上层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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