[发明专利]光探测器件及光探测器在审
| 申请号： | 201910236278.1 | 申请日： | 2019-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN109860397A | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 梁永晔;杨庭斌;邢贇;白俊娴;王江 | 申请（专利权）人： | 南方科技大学 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/46 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 赵天月 |
| 地址： | 518055 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光探测器 光探测器件 光活性层 界面层 铟锡氧化物阳极层 金属阴极层 上层 电子给体材料 电子受体材料 混合物形成 探测率 | ||
1.一种光探测器件，其特征在于，包括：
铟锡氧化物阳极层、光活性层、界面层以及金属阴极层；
其中所述光活性层位于所述铟锡氧化物阳极层的上层，所述光活性层由包含电子给体材料和电子受体材料的混合物形成；
所述界面层位于所述光活性层的上层，所述金属阴极层位于所述界面层的上层。
2.根据权利要求1所述的光探测器件，其特征在于，在所述铟锡氧化物阳极层和所述光活性层之间，不存在界面修饰层；
任选地，在所述铟锡氧化物阳极层和所述光活性层之间不存在PEDOT:PSS形成的界面修饰层；
任选地，所述光活性层位于所述铟锡氧化物阳极层的上层且与铟锡氧化物阳极层的上表面接触，所述界面层位于所述光活性层的上层且与所述光活性层的上表面接触，所述金属阴极层位于所述界面层的上层且与所述界面层的上层接触。
3.根据权利要求1所述的光探测器件，其特征在于，所述铟锡氧化物阳性层的厚度为120nm～140nm，优选为130nm。
4.根据权利要求1所述的光探测器件，其特征在于，所述电子给体材料包含3,4-乙撑二氧噻吩环侧链修饰的给体-受体型高分子；
任选地，所述电子给体材料选自PBD(EDOT)、PET-1、J52-1中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的光探测器件，其特征在于，所述的电子受体材料包括选自富勒烯衍生物、非富勒烯小分子以及共轭高分子中的至少一种；
任选地，所述电子给体材料和所述电子受体材料的重量比为1:0.5～1:2。
6.根据权利要求5所述的光探测器件，其中所述富勒烯衍生物为PC61BM；
任选地，所述非富勒烯小分子为IT-2F；
任选地，所述共轭高分子受体为N2200。
7.根据权利要求1所述的光探测器件，其特征在于，所述界面层选自PFN、PDINO中的至少一种。
8.根据权利要求1所述的光探测器件，其特征在于，所述金属阴极层电极选自Al电极、Cu电极、Ag电极中的至少一种；
任选地，所述金属阴极层的厚度为100nm～150nm，优选为100nm～120nm。
9.根据权利要求1所述的光探测器件，其特征在于，所述光活性层的厚度为100nm～300nm，优选为150nm～250nm。
10.一种光探测器，其特征在于，包括权利要求1～9中任一项所述的光探测器件；
任选地，所述光探测器为半导体光探测器。
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