[发明专利]用于在半导体装置的制造过程中形成牺牲材料层的混合物以及半导体装置的制造方法在审

专利信息
申请号: 201910234945.2 申请日: 2019-03-27
公开(公告)号: CN109971226A 公开(公告)日: 2019-07-05
发明(设计)人: 黑泽和则 申请(专利权)人: 德淮半导体有限公司
主分类号: C09D4/02 分类号: C09D4/02;C09D7/63;H01L21/027
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 欧阳帆
地址: 223300 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 本公开涉及用于在半导体装置的制造过程中形成牺牲材料层的混合物以及半导体装置的制造方法。提供有一种用于在半导体装置的制造过程中形成牺牲材料层的混合物,该混合物包括:主单体材料,其适于在辐照照射下发生交联反应从而使得所述混合物固化;以及促进剂,其适于促进所述混合物与所述混合物被施加到的表面的粘合,其中,所述混合物适于通过软性烘烤和回流处理而平坦化,并适于通过辐照照射而固化。
搜索关键词: 混合物 半导体装置 牺牲材料层 制造过程 辐照 照射 混合物固化 回流处理 交联反应 促进剂 平坦化 主单体 烘烤 粘合 软性 固化 制造 施加
【主权项】:
1.一种用于在半导体装置的制造过程中形成牺牲材料层的混合物,其特征在于,所述混合物包括:主单体材料,其适于在辐照照射下发生交联反应从而使得所述混合物固化;以及促进剂,其适于促进所述混合物与所述混合物被施加到的表面的粘合,其中,所述混合物适于通过软性烘烤和回流处理而平坦化,并且适于通过辐照照射而固化。
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