[发明专利]用于在半导体装置的制造过程中形成牺牲材料层的混合物以及半导体装置的制造方法

说明书

本公开涉及用于在半导体装置的制造过程中形成牺牲材料层的混合物以及半导体装置的制造方法。提供有一种用于在半导体装置的制造过程中形成牺牲材料层的混合物，该混合物包括：主单体材料，其适于在辐照照射下发生交联反应从而使得所述混合物固化；以及促进剂，其适于促进所述混合物与所述混合物被施加到的表面的粘合，其中，所述混合物适于通过软性烘烤和回流处理而平坦化，并适于通过辐照照射而固化。

技术领域

本公开涉及半导体领域，具体而言，涉及用于在半导体装置的制造过程中形成牺牲材料层的混合物以及半导体装置的制造方法。

背景技术

在半导体装置的制造过程中，经常会涉及形成和使用牺牲材料层。随着半导体装置的尺寸越来越小，对牺牲材料层的性能要求也越来越高，包括但不限于，期望牺牲材料层具备良好的抗纹波性能(wiggle resistance)、蚀刻可控性、热阻性能、平坦化性能和/或间隙填充性能等等。举例来说，在形成具有堆叠膜结构的半导体装置时，牺牲材料层可以起到将牺牲材料层之上的经图案化的薄光致抗蚀剂层的图案转印到牺牲材料层之下的衬底的作用。为了实现良好的图案转印性能，牺牲材料层的平坦化性能和间隙填充性能起着至关重要的作用。

因此，期望提供改进的用于在半导体装置的制造过程中形成牺牲材料层的混合物以及半导体装置的制造方法。

发明内容

本公开的一个目的是提供新颖的用于在半导体装置的制造过程中形成牺牲材料层的混合物以及半导体装置的制造方法。

根据本公开的第一方面，提供了一种用于在半导体装置的制造过程中形成牺牲材料层的混合物，该混合物包括：主单体材料，其适于在辐照照射下发生交联反应从而使得混合物固化；以及促进剂，其适于促进混合物与混合物被施加到的表面的粘合，其中，混合物适于通过软性烘烤和回流处理而平坦化，并且适于通过辐照照射而固化。

根据本公开的第二方面，提供了一种制造半导体装置的方法，包括：在衬底上涂覆混合物层以用作牺牲材料层，混合物层至少包括主单体材料和促进剂；对混合物层进行软性烘烤和回流处理，以使混合物层平坦化；以及用辐照照射混合物层，以使混合物层固化。

根据本公开的第三方面，提供了一种混合物在半导体装置的制造过程中的应用。

通过以下参照附图对本公开的示例性实施例的详细描述，本公开的其它特征及其优点将会变得清楚。

附图说明

构成说明书的一部分的附图描述了本公开的实施例，并且连同说明书一起用于解释本公开的原理。

参照附图，根据下面的详细描述，可以更加清楚地理解本公开，其中：

图1示出了根据本公开的示例性实施例的半导体装置的制造方法的流程图。

图2A至2C示出了根据本公开的示例性实施例的图1中所示的半导体装置的制造方法的一个具体示例的各个步骤处的半导体装置截面示意图。

图3A至3F示出了根据本公开的示例性实施例的图1中所示的半导体装置的制造方法的另一个具体示例的各个步骤处的半导体装置截面示意图。

图4A至4D示出了根据本公开的示例性实施例的图1中所示的半导体装置的制造方法的再一个具体示例的各个步骤处的半导体装置截面示意图。

注意，在以下说明的实施方式中，有时在不同的附图之间共同使用同一附图标记来表示相同部分或具有相同功能的部分，而省略其重复说明。在本说明书中，使用相似的标号和字母表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。

为了便于理解，在附图等中所示的各结构的位置、尺寸及范围等有时不表示实际的位置、尺寸及范围等。因此，所公开的发明并不限于附图等所公开的位置、尺寸及范围等。

具体实施方式