[发明专利]一种基于磁控溅射的外反射银膜制备方法

摘要

本发明公开一种基于磁控溅射的外反射银膜制备方法，属于光学薄膜技术领域。本发明的方法通过在基板与银膜之间加入“结合层”—NiCrN_x，镀后再溅射镀制Ag膜，Ag膜镀制后再溅射镀制“结合层”—NiCrN_x，然后再溅射镀制“防水层”—SiN_x，最后再溅射镀制可见波段的“增反层”。能够在450nm～750nm&1540nm范围内实现反射率≥95％、在7000nm～11000nm范围内实现反射率≥98％，且膜层表面质量、牢固性良好，能抗摩擦、湿热、盐雾等试验要求。

主权项

1.一种基于磁控溅射的外反射银膜制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、预溅射靶材：Ag靶预溅射时间45～55s，Si靶预溅射时间300s～600s，直至无飞溅点子；步骤二、溅射NiCrN_x膜层：阴极功率2kw、氩气45～50sccm、离子源功率3kw、氮气45～50sccm、沉积速率0.016nm/s、沉积时间30s；步骤三、溅射Ag膜层：阴极功率3.5kw、氩气50～60sccm、离子源功率2kw、氮气30～40sccm、沉积速率0.5nm/s、沉积时间30s；步骤四、溅射NiCrN_x膜层：阴极功率1.5kw、氩气45～50sccm、离子源功率3kw、氮气45～50sccm、溅射速率0.016nm/s、沉积时间12s，工件转速50rpm；步骤五、溅射SiN_x膜层：阴极功率3.5kw、氩气60～70sccm、离子源功率4kw、氮气50～60sccm、沉积速率0.08nm/s、沉积时间56s；步骤六、溅射SiO₂膜层：阴极功率3.5kw、氩气60～70sccm、离子源功率4kw、氧气50～60sccm、沉积速率0.14nm/s、沉积时间482s；步骤七、溅射Ta₂O₅膜层：阴极功率3.8kw、氩气20～25sccm、离子源功率4kw、氧气50～60sccm、沉积速率0.25nm/s、沉积时间172s；步骤八、溅射SiO₂膜层：阴极功率3.5kw、氩气60～70sccm、离子源功率4kw、氧气50～60sccm、沉积速率0.14nm/s、沉积时间70s。