[发明专利]一种基于磁控溅射的外反射银膜制备方法

权利要求书

1.一种基于磁控溅射的外反射银膜制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、预溅射靶材：Ag靶预溅射时间45～55s，Si靶预溅射时间300s～600s，直至无飞溅点子；

步骤二、溅射NiCrN_x膜层：阴极功率2kw、氩气45～50sccm、离子源功率3kw、氮气45～50sccm、沉积速率0.016nm/s、沉积时间30s；

步骤三、溅射Ag膜层：阴极功率3.5kw、氩气50～60sccm、离子源功率2kw、氮气30～40sccm、沉积速率0.5nm/s、沉积时间30s；

步骤四、溅射NiCrN_x膜层：阴极功率1.5kw、氩气45～50sccm、离子源功率3kw、氮气45～50sccm、溅射速率0.016nm/s、沉积时间12s，工件转速50rpm；

步骤五、溅射SiN_x膜层：阴极功率3.5kw、氩气60～70sccm、离子源功率4kw、氮气50～60sccm、沉积速率0.08nm/s、沉积时间56s；

步骤六、溅射SiO₂膜层：阴极功率3.5kw、氩气60～70sccm、离子源功率4kw、氧气50～60sccm、沉积速率0.14nm/s、沉积时间482s；

步骤七、溅射Ta₂O₅膜层：阴极功率3.8kw、氩气20～25sccm、离子源功率4kw、氧气50～60sccm、沉积速率0.25nm/s、沉积时间172s；

步骤八、溅射SiO₂膜层：阴极功率3.5kw、氩气60～70sccm、离子源功率4kw、氧气50～60sccm、沉积速率0.14nm/s、沉积时间70s。

2.如权利要求1所述的基于磁控溅射的外反射银膜制备方法，其特征在于，在预溅射靶材之前，所述基于磁控溅射的外反射银膜制备方法还包括以下准备步骤：

清洁阴极靶材，依次装好所需靶材；

在洗净的夹具边缘贴绝缘高温胶带；

将洗净的待镀基板放入处理好的夹具，置于镀膜机的零件盘内，压紧真空室门开始抽真空。

3.如权利要求2所述的基于磁控溅射的外反射银膜制备方法，其特征在于，所述依次装好所需靶材具体为：依次装好1号靶材为NiCr靶、2号靶材为Ag靶、3号靶材为Si靶、4号靶材为Ta靶。

4.如权利要求2所述的基于磁控溅射的外反射银膜制备方法，其特征在于，抽真空至背景真空度P≤3.0×10^-6torr。

5.如权利要求1所述的基于磁控溅射的外反射银膜制备方法，其特征在于，在所述步骤八完成后10分钟取件。