[发明专利]真空装置、真空控制方法及离子注入设备在审
| 申请号： | 201910231828.0 | 申请日： | 2019-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN111755303A | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/18 | 分类号： | H01J37/18;H01J37/317 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;高德志 |
| 地址： | 230001 安徽省合肥市蜀山*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 一种真空装置、真空控制方法及离子注入设备，其中所述真空装置包括：真空腔室；与所述真空腔室连接的隔离阀；与所述隔离阀连接的离子真空计，所述离子真空计适于发出真空计信号；所述真空计信号包括正常信号或异常信号；与所述离子真空计和所述隔离阀连接的控制单元，所述控制单元适于接收所述离子真空计发出的异常信号或正常信号，以及根据所述异常信号控制所述隔离阀关闭，或根据所述正常信号控制所述隔离阀打开。本发明的真空装置提高了离子真空计的使用寿命，并且简化了更换离子真空计的操作步骤，使得复机的时间极大的缩短。 | ||
| 搜索关键词： | 真空 装置 控制 方法 离子 注入 设备 | ||
【主权项】：
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