[发明专利]真空装置、真空控制方法及离子注入设备在审

专利信息
申请号: 201910231828.0 申请日: 2019-03-26
公开(公告)号: CN111755303A 公开(公告)日: 2020-10-09
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: H01J37/18 分类号: H01J37/18;H01J37/317
代理公司: 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 代理人: 孙佳胤;高德志
地址: 230001 安徽省合肥市蜀山*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 真空 装置 控制 方法 离子 注入 设备
【说明书】:

一种真空装置、真空控制方法及离子注入设备,其中所述真空装置包括:真空腔室;与所述真空腔室连接的隔离阀;与所述隔离阀连接的离子真空计,所述离子真空计适于发出真空计信号;所述真空计信号包括正常信号或异常信号;与所述离子真空计和所述隔离阀连接的控制单元,所述控制单元适于接收所述离子真空计发出的异常信号或正常信号,以及根据所述异常信号控制所述隔离阀关闭,或根据所述正常信号控制所述隔离阀打开。本发明的真空装置提高了离子真空计的使用寿命,并且简化了更换离子真空计的操作步骤,使得复机的时间极大的缩短。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域,尤其涉及一种真空装置、真空控制方法及离子注入设备。

背景技术

离子注入是一种将杂质选择性地注入到半导体材料中的技术。

现有通常采用离子注入设备进行离子注入,离子注入设备一般包括离子源、引导装置、真空腔室,所述离子源用于产生注入的离子束,所述真空腔室用于保持真空环境并放置待注入的晶圆,所述引导装置用于将离子源产生的离子束引导并加速注入到晶圆中。

真空腔室中的真空度会影响形成的离子束的状态,进而影响离子注入后晶圆的电性及良率。现有通常在真空腔室上连接离子真空计,以实现对真空腔室中的真空度的监测。

但是现有的离子真空计发生异常时,设备人员需要逐一关闭与真空腔室连接的真空泵,并对真空腔室进行排气之后再进行离子真空计的更换,离子真空计更换完毕后又需要将真空泵逐一开启之后再打开离子真空计,更换离子真空计的操作复杂,从而导致离子注入设备复机的时间较长。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是怎样简化更换离子真空计的操作以缩短离子注入设备复机的时间。

本发明提供了一种真空装置,包括:

真空腔室;

与所述真空腔室连接的隔离阀;

与所述隔离阀连接的离子真空计,所述离子真空计适于发出真空计信号;所述真空计信号包括正常信号或异常信号;

与所述离子真空计和所述隔离阀连接的控制单元,所述控制单元适于接收所述离子真空计发出的异常信号或正常信号,以及根据所述异常信号控制所述隔离阀关闭,或根据所述正常信号控制所述隔离阀打开。

可选的,所述隔离阀为真空蝶阀或真空球阀。

可选的,所述控制单元还用于在对所述真空腔室进行维护保养之前,控制所述隔离阀关闭以将所述离子真空计与所述真空腔室隔离;所述控制单元还用于在所述真空腔室正常工作之后,控制所述隔离阀打开以将所述离子真空计与所述真空腔室连通。

可选的,所述隔离阀包括阀体,阀叶或阀芯,以及驱动装置,所述阀体中具有管道通路,所述管道通路中具有阀叶或阀芯,所述阀叶或阀芯与驱动装置连接,所述驱动装置用于驱动所述阀叶或阀芯转动或平移,所述阀叶或阀芯转动或平移时使得所述管道通路打开或关闭。

可选的,所述控制单元用于通过手动方式、电动方式、气动方式、液动方式或磁动方式控制所述驱动装置驱动所述阀叶或阀芯转动或平移。

可选的,所述控制单元还用于向所述驱动装置发送控制信号;所述驱动装置用于根据所述控制信号驱动所述阀叶或阀芯转动或平移。

可选的,还包括:真空泵,所述真空泵与所述真空腔室连接,适于抽取所述真空腔室中的气体,以维持所述真空腔室中的真空度或者使得所述真空腔室中达到设定的真空度。

可选的,所述控制单元还用于当离子真空计出现故障需要进行更换时,控制所述隔离阀关闭,以将所述离子真空计与所述真空腔室之间隔离;所述真空泵在所述隔离阀关闭时仍正常工作,以维持所述真空腔室中的真空度。

本发明还提供了一种前述所述的真空装置的离子注入设备。

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