[发明专利]一种长链共轭π键交联超强韧高导电石墨烯复合薄膜的制备方法

摘要

本发明涉及一种长链共轭π键交联超强韧高导电石墨烯复合薄膜的制备方法，首先将芘甲醇和10,12‑二十二碳二炔二酸(DDA)搅拌混合均匀，再向其中加入1‑乙基‑3‑(3‑二甲氨基丙基)碳二亚胺盐酸盐(EDCI)、4‑二甲基氨基吡啶(DMAP)和二氯甲烷(DCM)，搅拌反应一段时间，得到10,12‑二十二碳二炔二酸二芘甲酯(BPDD)；然后将氧化石墨烯(GO)溶液经真空抽滤制得自支撑GO薄膜；该GO薄膜经过化学还原后，浸泡在BPDD溶液中，最后利用紫外光照射制得长链共轭π键交联的石墨烯(πBG)复合薄膜，获得πBG薄膜的最高拉伸强度为1054MPa，相应的韧性为36MJ/m3，电导率为1192S/cm。此外，该最优化的πBG薄膜具有超高的抗疲劳性能和优异的电磁屏蔽效能。

主权项

1.一种长链共轭π键交联超强韧高导电石墨烯复合薄膜的制备方法，其特征在于，实现步骤如下：(1)将芘甲醇和10,12‑二十二碳二炔二酸(DDA)搅拌混合均匀，再向其中加入1‑乙基‑3‑(3‑二甲氨基丙基)碳二亚胺盐酸盐(EDCI)、4‑二甲基氨基吡啶(DMAP)和二氯甲烷(DCM)，搅拌反应一段时间，得到10,12‑二十二碳二炔二酸二芘甲酯(BPDD)；(2)利用搅拌方法将步骤(1)制得的BPDD均匀溶解于DCM中，得到BPDD分散液；(3)利用搅拌超声方法将氧化石墨烯(GO)配成均匀的GO水溶液；(4)采用真空抽滤法将步骤(3)得到的所述GO水溶液组装成自支撑的GO薄膜；(5)将步骤(4)得到的GO薄膜浸泡于氢碘酸(HI)中，洗涤干燥后得到还原氧化石墨烯(rGO)薄膜；(6)在避光条件下，将步骤(5)得到的rGO薄膜浸泡于步骤(2)得到的BPDD分散液中，使BPDD通过共轭π键吸附在rGO纳米片表面，洗涤干燥后得到复合薄膜；(7)在惰性气体保护下，对步骤(6)得到的所述复合薄膜进行紫外光照射，制得长链共轭π键交联的石墨烯(πBG)复合薄膜。