[发明专利]具有沟槽栅极结构和台面区段的顶部部分中的源极区域的碳化硅半导体器件在审
| 申请号： | 201910216682.2 | 申请日： | 2019-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN110299412A | 公开（公告）日： | 2019-10-01 |
| 发明（设计）人： | A.毛德;R.鲁普;O.J.施普尔伯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/739;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/16;H01L29/423 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 周学斌;申屠伟进 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及具有沟槽栅极结构和台面区段的顶部部分中的源极区域的碳化硅半导体器件。半导体器件（500）包括从前侧延伸到碳化硅部分（100）中的沟槽栅极结构（150）。源极区域（110）形成在沟槽栅极结构（150）之间的碳化硅部分（100）的台面区段（180）的顶部部分中。台面区段（180）中的选通沟道区域（120）邻接源极区域（110）。选通沟道区域（120）被配置为在半导体器件（500）的绝对最大额定值内完全耗尽。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽栅极结构 源极区域 台面 碳化硅半导体器件 半导体器件 沟道区域 碳化硅 选通 邻接 耗尽 延伸 配置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：沟槽栅极结构（150），其从前侧延伸到碳化硅部分（100）中；源极区域（110），其形成在所述沟槽栅极结构（150）之间的所述碳化硅部分（100）的台面区段（180）的顶部部分中；以及选通沟道区域（120），其处于所述台面区段（180）中，其中所述选通沟道区域（120）邻接所述源极区域（110），并且被配置为在所述半导体器件（500）的绝对最大额定值内完全耗尽。
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