[发明专利]一种接触孔结构的制作方法

摘要

本发明提供了一种接触孔结构的制作方法，所述方法包括依次在接触孔内形成硅层、钨成核层和钨主体层，以对所述接触孔进行填充，其中，所述钨成核层通过多个循环反应形成，更有利于控制最终形成的所述钨成核层的形貌，不会出现在接触孔顶部的位置形成的钨成核层较厚而导致接触孔的开口过小不利于后续填充的情况，因此，通过本发明提供的接触孔结构的制作方法，解决了通过现有的金属钨的填充工艺所形成的钨塞中间的空隙较大的问题。

主权项

1.一种接触孔结构的制作方法，其特征在于，包括：提供一衬底并在所述衬底中形成一接触孔；形成硅层，所述硅层覆盖所述接触孔表面并延伸覆盖所述衬底表面；形成钨成核层，所述钨成核层覆盖所述硅层的表面，所述钨成核层通过多个循环反应形成；形成钨主体层，所述钨主体层覆盖所述钨成核层的表面并将所述接触孔填满；去除所述衬底表面的所述硅层、所述钨成核层和所述钨主体层以形成接触孔结构。