[发明专利]一种接触孔结构的制作方法

权利要求书

1.一种接触孔结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供一衬底并在所述衬底中形成一接触孔；

形成硅层，所述硅层覆盖所述接触孔表面并延伸覆盖所述衬底表面；

形成钨成核层，所述钨成核层覆盖所述硅层的表面，所述钨成核层通过多个循环反应形成；

形成钨主体层，所述钨主体层覆盖所述钨成核层的表面并将所述接触孔填满；

去除所述衬底表面的所述硅层、所述钨成核层和所述钨主体层以形成接触孔结构；

其中，每个所述循环反应包括：

步骤S11，在反应腔室中通入WF₆和SiH₄，在所述硅层的表面形成第一钨薄膜层；

步骤S12，停止通入WF₆和SiH₄，并通入N₂；

步骤S13，停止通入N₂，通入SiH₄，与附在所述硅层表面的WF₆反应，生成第二钨薄膜层；

步骤S14，停止通入SiH₄，并通入N₂；

其中，多个所述第一钨薄膜层及所述第二钨薄膜层形成的堆 叠层作为所述钨成核层。

2.如权利要求1所述的接触孔结构的制作方法，其特征在于，每个所述循环反应形成的所述第一钨薄膜层和所述第二钨薄膜层的厚度和为所述循环反应的次数为5次～20次。

3.如权利要求2所述的接触孔结构的制作方法，其特征在于，步骤S11的工艺条件为：通气时间为1s～2s，压强为2Torr～10Torr，SiH₄的流量为10sccm～30sccm，WF₆的流量为20sccm～60sccm；步骤S12和步骤S14的工艺条件均为：通气时间为1s～3s，压强为2Torr～10Torr，N₂的流量为100sccm～500sccm；步骤S13的工艺条件为：通气时间为1s～3s，压强为2Torr～10Torr，SiH₄的流量为10sccm～50sccm。

4.如权利要求1所述的接触孔结构的制作方法，其特征在于，所述硅层通过在反应腔室中通入SiH₄形成。

5.如权利要求4所述的接触孔结构的制作方法，其特征在于，形成所述硅层的工艺条件为：通气时间为10s～60s，压强为30Torr～100Torr，SiH₄的流量为35sccm～100sccm。

6.如权利要求1所述的接触孔结构的制作方法，其特征在于，所述钨主体层通过在反应腔室中通入WF₆和H₂形成。

7.如权利要求6所述的接触孔结构的制作方法，其特征在于，形成所述钨主体层的工艺条件为：通气时间为10s～60s，压强为60Torr～100Torr，WF₆的流量为80sccm～150sccm，H₂的流量为500sccm～1000sccm。

8.如权利要求1所述的接触孔结构的制作方法，其特征在于，采用化学机械研磨工艺去除所述衬底表面的所述硅层、所述钨成核层和所述钨主体层。

9.如权利要求1所述的接触孔结构的制作方法，其特征在于，形成所述硅层之前，所述方法还包括：形成氮化钛层，所述氮化钛层覆盖所述接触孔表面并延伸覆盖所述衬底表面。