[发明专利]一种基于非晶衬底的氮化物薄膜结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201910201508.0 | 申请日： | 2019-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN111697115A | 公开（公告）日： | 2020-09-22 |
| 发明（设计）人： | 伊晓燕;王蕴玉;刘志强;梁萌;王兵;任芳;尹越;王军喜;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/02;H01L21/02;H01L33/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种非晶衬底的氮化物薄膜结构及其制备方法，该氮化物薄膜结构包括：一非晶衬底；一石墨烯缓冲层；一纳米结构支撑层；一氮化物薄膜。该非晶衬底的氮化物薄膜结构的制备方法包括：提供一非晶衬底；将石墨烯转移到非晶衬底上；利用化学气相沉积技术在石墨烯上进行氮化物纳米结构生长，通过改变压强、温度、反应物浓度等参数获得分布均匀、取向一致的纳米结构材料；在氮化物纳米结构的基础上进行薄膜生长，通过改变压强、温度、反应物浓度等参数使得反应物横向合并生长，形成连续的氮化物薄膜；进行器件结构设计及工艺制备。本发明提出的非晶衬底的氮化物结构及其制备方法，能够在非晶衬底上制备出氮化物光电子器件，降低生产成本，拓展其应用范围。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 衬底 氮化物 薄膜 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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