[发明专利]一种基于非晶衬底的氮化物薄膜结构及其制备方法

权利要求书

1.一种基于非晶衬底的氮化物薄膜结构，包括：

一非晶衬底；

一石墨烯缓冲层，形成在所述非晶衬底上；

一纳米结构支撑层，形成在所述石墨烯缓冲层上；以及

一氮化物薄膜，形成在所述纳米结构支撑层上。

2.根据权利要求1所述的基于非晶衬底的氮化物薄膜结构，其特征在于，所述非晶衬底为石英衬底、玻璃衬底或SiO₂衬底，厚度为0.5mm-1.0mm。

3.根据权利要求1所述的基于非晶衬底的氮化物薄膜结构，其特征在于，所述石墨烯缓冲层是一层或多层，厚度为0.4nm-3.0nm。

4.根据权利要求1所述的基于非晶衬底的氮化物薄膜结构，其特征在于，所述纳米结构支撑层是纳米线、纳米柱、纳米锥或纳米微盘结构，其厚度为100nm-500nm。

5.根据权利要求1所述的基于非晶衬底的氮化物薄膜结构，其特征在于，所述氮化物薄膜厚度为1μm-5μm。

6.一种制备权利要求1至5中任一项所述的基于非晶衬底的氮化物薄膜结构的方法，包括：

提供一非晶衬底；

将一石墨烯缓冲层转移到所述非晶衬底上；

在所述石墨烯缓冲层上形成一氮化物纳米结构支撑层；以及

在所述氮化物纳米结构支撑层上形成一氮化物薄膜。

7.根据权利要求6所述的制备基于非晶衬底的氮化物薄膜结构的方法，其特征在于，所述将石墨烯缓冲层转移到所述非晶衬底上的步骤中，首先把生长在金属上的石墨烯固定于基板上，腐蚀掉金属后使用所述非晶衬底捞取漂浮的所述石墨烯，自然晾干后完成所述石墨烯缓冲层到所述非晶衬底的转移。

8.根据权利要求6所述的制备基于非晶衬底的氮化物薄膜结构的方法，其特征在于，所述在石墨烯缓冲层上进行氮化物纳米结构支撑层生长步骤中，采用金属有机物化学气相沉积技术在石墨烯缓冲层上生长所述氮化物纳米结构支撑层。

9.根据权利要求6所述的制备基于非晶衬底的氮化物薄膜结构的方法，其特征在于，所述在纳米结构支撑层上形成氮化物薄膜步骤中，采用金属有机物化学气相沉积技术在纳米结构支撑层上生长所述氮化物薄膜。

10.根据权利要求6所述的制备基于非晶衬底的氮化物薄膜结构的方法，其特征在于，该方法在形成氮化物薄膜之后还包括：

在所述氮化物薄膜上进行器件结构设计及工艺制备。